[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201980082820.0 | 申請日: | 2019-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN113196497A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 尹柱元;張常希;金基范;梁泰勛;李政炫;李宗璨;李弼錫;鄭雄喜 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基底,所述基底包括顯示區域和位于所述顯示區域周圍的外圍區域;
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管在所述顯示區域中位于所述基底上和顯示元件,所述顯示元件電連接到所述薄膜晶體管;以及
第一電壓線和第二電壓線,所述第一電壓線和所述第二電壓線在所述外圍區域中定位在所述基底上,并且供應用于驅動所述顯示元件的電力,
其中,所述第一電壓線是公共電壓線,并且完全圍繞所述顯示區域,
所述第二電壓線是驅動電壓線,并且布置為與所述顯示區域的一側相對應,并且
所述第一電壓線和所述第二電壓線位于不同的層上。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示元件包括:像素電極,所述像素電極電連接到所述薄膜晶體管;公共電極,所述公共電極位于所述像素電極上;以及中間層,所述中間層包括有機材料,且在所述像素電極和所述公共電極之間,
其中,所述公共電極的所有邊緣電連接到所述第一電壓線。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述公共電極和所述第一電壓線通過導電層彼此連接,并且
所述導電層與所述像素電極具有相同的構造。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述基底還包括定位在所述外圍區域中的焊盤區域,
所述第二電壓線在所述顯示區域的一側和所述焊盤區域之間,并且
所述第一電壓線在垂直方向上與所述第二電壓線至少部分地重疊。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:在所述薄膜晶體管和所述顯示元件之間的第一絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管,
其中,所述第一電壓線與位于所述第一絕緣層上的金屬布線具有相同的結構,并且所述第二電壓線與所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極具有相同的結構。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,還包括:驅動電路單元,所述驅動電路單元在所述外圍區域中定位在所述基底上,并且將電信號傳輸到所述顯示區域,
其中,所述驅動電路單元由所述第一絕緣層覆蓋。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:輔助布線,所述輔助布線布置在所述第一電壓線下方,并且電連接到所述第一電壓線。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述輔助布線與所述第二電壓線位于相同的層上,并且所述輔助布線與所述第二電壓線具有相同的結構。
9.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述第一電壓線和所述第二電壓線位于不同的層上。
10.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述輔助布線完全沿著所述第一電壓線布置。
11.一種顯示裝置,包括:
基底,所述基底包括顯示區域和位于所述顯示區域周圍的外圍區域;
像素電路,所述像素電路在所述顯示區域中定位在所述基底上和有機發光器件,所述有機發光器件電連接到所述像素電路;
第一電壓線,所述第一電壓線在所述外圍區域中定位在所述基底上,并且將公共電壓施加到所述有機發光器件;以及
驅動電路單元,所述驅動電路單元在所述外圍區域中定位在所述基底上并且布置在所述第一電壓線和所述像素電路之間,并且將電信號傳輸到所述顯示區域,
其中,所述驅動電路單元由布置在所述顯示區域和所述外圍區域上方的第一絕緣層覆蓋,并且
所述第一電壓線完全圍繞所述顯示區域與位于所述顯示區域的所述第一絕緣層上的布線具有相同的材料和相同的結構。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置,其中,所述有機發光器件包括電連接到所述第一電壓線的公共電極,并且
所述公共電極的所有邊緣電連接到所述第一電壓線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980082820.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





