[發明專利]薄膜SAW器件

在審

• 申請號: 201980082642.1
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN113169720A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: M·納普;I·布萊爾;M·豪澤
• 申請（專利權）人: RF360歐洲有限責任公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H01L41/312
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳

1.一種薄膜SAW器件，包括：

-載體襯底(CA)，

-TCF補償層(CL)，

-壓電層(PL)，以及

-在所述壓電層的頂部上的IDT電極(EL)

其中，功能層(FL)被布置在壓電層與TCF補償層之間，

其中，考慮到聲速、密度和剛度，所述功能層的材料特性與所述壓電層的材料特性相匹配，使得所述功能層的材料特性與所述壓電層的材料特性在不具有壓電效應的情況下彼此的偏差不超過10％。

2.根據前述權利要求所述的薄膜SAW器件，其中所述功能層

-包括與所述壓電層相同的所述材料

-不提供任何壓電效應。

3.根據前述權利要求中的任一項所述的薄膜SAW器件，

-其中所述壓電層是厚度為dP的LT或LN的單晶層，

-其中所述功能層是相同材料的結晶層，但是沒有壓電效應，

-其中對于所述功能層的厚度dF，以下是有效的：

0.005dP≤dF≤0.50dP。

4.根據前述權利要求中的任一項所述的薄膜SAW器件，其中在所述載體襯底(CA)與所述TCF補償層(CL)之間添加具有比所述TCF補償層(CL)更高的聲速的一個或多個附加層。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的薄膜SAW器件，其中，所述壓電層是400nm-700nm的厚度dP的鉭酸鋰LT的單晶層，其中，所述功能層是相同材料的結晶LT層，但是不具有壓電效應，其中所述功能層的所述厚度dF符合

2nm≤dF≤350nm。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的薄膜SAW器件，其中所述TCF補償層(CL)包括具有厚度dC符合以下條件的SiO₂層：

50nm≤dC≤500nm。

7.一種制造薄膜SAW器件的方法，所述薄膜SAW器件包括：

-載體襯底(CA)，

-TCF補償層(CL)，

-功能層(FL)，

-壓電層(PL)，以及

-在所述壓電層的頂部上的IDT電極(EL)

其中，所述方法包括將壓電晶片的晶片鍵合到被布置在所述載體襯底上的下面的TCF補償層CL，所述壓電晶片在其頂表面上具有整體形成的功能層FL，

其中，所述功能層(FL)是在晶片鍵合之前通過離子注入、溫度處理或激光處理形成的。