[發明專利]光檢測裝置和光檢測裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201980081954.0
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN113167642A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 園部弘典
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;G01J1/44;H01L31/107
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種光檢測裝置，其特征在于，

包括半導體基板，其具有彼此相對的第一主面和第二主面，并且以在從與所述第一主面正交的方向觀察時彼此隔開間隔的方式形成有雪崩光電二極管和溫度補償用二極管，

在從與所述第一主面正交的方向觀察時，所述半導體基板在所述雪崩光電二極管與所述溫度補償用二極管之間具有吸收位于周邊的載流子的周邊載流子吸收部，

在從與所述第一主面正交的方向觀察時，在以最短距離連結所述雪崩光電二極管與所述溫度補償用二極管之間的線段上，

所述雪崩光電二極管與所述周邊載流子吸收部之間的最短距離比所述周邊載流子吸收部的邊緣中的距所述雪崩光電二極管最近的部分與所述溫度補償用二極管之間的最短距離小，

通過作為偏置電壓對所述雪崩光電二極管施加與施加于所述溫度補償用二極管的擊穿電壓相應的電壓，進行所述雪崩光電二極管的倍增率的溫度補償。

2.如權利要求1所述的光檢測裝置，其特征在于，包括：

第一電極，其與所述雪崩光電二極管連接，且輸出來自該雪崩光電二極管的信號；

第二電極，其與所述溫度補償用二極管連接；和

第三電極，其與所述周邊載流子吸收部連接。

3.如權利要求2所述的光檢測裝置，其特征在于，

包括第四電極，所述雪崩光電二極管、所述溫度補償用二極管、和所述周邊載流子吸收部彼此并聯地連接于所述第四電極。

4.如權利要求1～3中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述半導體基板包含第一導電型的半導體區域，

所述雪崩光電二極管和所述溫度補償用二極管分別包括：與所述第一導電型不同的第二導電型的第一半導體層；和位于所述半導體區域與所述第一半導體層之間且雜質濃度比所述半導體區域高的所述第一導電型的第二半導體層。

5.如權利要求4所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述周邊載流子吸收部包含所述第二導電型的第三半導體層。

6.如權利要求4所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述周邊載流子吸收部包含所述第一導電型的第三半導體層。

7.如權利要求4～6中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

在從與所述第一主面正交的方向觀察時，在以最短距離連結所述雪崩光電二極管與所述溫度補償用二極管之間的線段上，

所述雪崩光電二極管的所述第一半導體層與所述周邊載流子吸收部之間的最短距離比所述周邊載流子吸收部的所述部分與所述溫度補償用二極管的所述第一半導體層之間的最短距離小。

8.如權利要求4～7中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

在從與所述第一主面正交的方向觀察時，在以最短距離連結所述雪崩光電二極管與所述溫度補償用二極管之間的線段上，

所述雪崩光電二極管的所述第二半導體層與所述周邊載流子吸收部之間的最短距離比所述周邊載流子吸收部的所述部分與所述溫度補償用二極管的所述第二半導體層之間的最短距離小。

9.如權利要求4～8中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述溫度補償用二極管的所述第二半導體層中的雜質濃度比所述雪崩光電二極管的所述第二半導體層中的雜質濃度高。

10.如權利要求4～8中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述溫度補償用二極管的所述第二半導體層中的雜質濃度比所述雪崩光電二極管的所述第二半導體層中的雜質濃度低。

11.如權利要求1～10中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

在所述半導體基板的所述第一主面側形成有含有所述雪崩光電二極管的雪崩光電二極管陣列，

在從與所述第一主面正交的方向觀察時，所述周邊載流子吸收部位于所述雪崩光電二極管陣列與所述溫度補償用二極管之間。