[發明專利]背面照射型固體攝像裝置及其制造方法、攝像裝置以及電子設備在審
| 申請號: | 201980081947.0 | 申請日: | 2019-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN113169202A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 駒井尚紀;吉岡浩孝;脇山悟;山本雄一;高地泰三 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 姚鵬;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面 照射 固體 攝像 裝置 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種背面照射型固體攝像裝置,包括:
第一半導體元件,其具有產生各像素的像素信號的攝像元件;
比所述第一半導體元件小的第二半導體元件和第三半導體元件,在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件中通過使用埋入部件埋入有所述像素信號的信號處理所必需的信號處理電路;和
通信配線,其將所述第二半導體元件和所述第三半導體元件電連接。
2.根據權利要求1所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述通信配線形成在同一層中。
3.根據權利要求1所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件堆疊在所述第一半導體元件的相對于入射光的入射方向的背面,并且
相對于所述第一半導體元件與所述第二半導體元件和所述第三半導體元件之間的邊界,所述通信配線形成在所述第一半導體元件的那一側。
4.根據權利要求1所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件堆疊在所述第一半導體元件的相對于入射光的入射方向的背面,并且,
相對于所述第一半導體元件與所述第二半導體元件和所述第三半導體元件之間的邊界,所述通信配線形成在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的那一側。
5.根據權利要求4所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述通信配線形成在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的面向所述入射光的所述入射方向的表面上。
6.根據權利要求5所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的形成有配線的表面形成在面向所述入射光的所述入射方向的表面。
7.根據權利要求5所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的形成有配線的表面形成在相對于所述入射光的所述入射方向的背面。
8.根據權利要求7所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的形成有所述配線的所述表面形成在相對于所述入射光的所述入射方向的所述背面,并且所述通信配線經由穿過各基板形成的貫穿電極形成。
9.根據權利要求5所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
支撐板連接在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的相對于所述入射光的背面側,并且,
所述通信配線形成在所述支撐板中。
10.根據權利要求4所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述通信配線形成在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的相對于所述入射光的所述入射方向的背面。
11.根據權利要求10所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述通信配線形成在支撐板的前側,所述支撐板位于所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的相對于所述入射光的所述入射方向的背面側。
12.根據權利要求4所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
所述第二半導體元件和所述第三半導體元件通過貫穿所述第一半導體元件的貫穿電極與所述第一半導體元件電連接。
13.根據權利要求4所述的背面照射型固體攝像裝置,其中,
當沿著所述入射光的所述入射方向觀察時,所述第一半導體元件、所述第二半導體元件和所述第三半導體元件以所述第一半導體元件、所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的順序堆疊,并且在所述第二半導體元件和所述第三半導體元件的接合面上相互面對地形成的焊盤被電連接以用作所述通信配線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





