[發明專利]具有用于中空陰極放電抑制的流孔的噴頭面板

在審

• 申請號: 201980081929.2
• 申請日: 2019-10-01
• 公開（公告）號: CN113196443A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 邁克爾·約翰·塞勒普;帕特里克·G·布萊琳;卡爾·弗雷德里克·利瑟;蒂莫西·斯科特·托馬斯;大衛·威廉·坎普;肖恩·M·唐納利
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種用于將處理氣體輸送至襯底處理系統內的等離子體生成區域的噴頭，其包含：

面板，所述面板具有下側與上側，所述面板的所述下側在所述襯底處理系統的操作期間面對所述等離子體生成區域，所述面板的所述上側面對一或多個充氣腔，在所述襯底處理系統的操作期間，一或更多種處理氣體被供給至所述一或多個充氣腔中，所述面板具有在所述面板的所述下側與所述上側之間測量到的總厚度，

所述面板包含穿過所述面板的所述下側所形成的孔口，所述面板包含穿過所述面板的所述上側所形成的開口，所述孔口中的每一者形成為延伸穿過所述面板的所述總厚度的一部分，以與所述開口中的至少一者相交而形成穿過所述面板的用于處理氣體的對應的流動路徑，

所述孔口中的每一者具有平行于所述面板的所述下側定位的橫截面，所述孔口中的每一者的所述橫截面在至少一個方向上具有中空陰極放電抑制尺寸，

所述開口中的每一者具有平行于所述面板的所述上側定位的橫截面，所述開口中的每一者所具有的最小橫截面尺寸大于所述中空陰極放電抑制尺寸。

2.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述開口中的每一者形成為延伸穿過所述面板的所述總厚度的至少50％。

3.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述開口中的每一者形成為延伸穿過所述面板的所述總厚度的至少90％。

4.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述面板的所述總厚度的所述部分是在從約0.001英寸至約0.03英寸的范圍內。

5.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述中空陰極放電抑制尺寸是在從約0.005英寸至約0.04英寸的范圍內。

6.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述中空陰極放電抑制尺寸是在從約0.008英寸至約0.018英寸的范圍內。

7.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述開口形成為圓形孔洞。

8.根據權利要求7所述的噴頭，其中所述開口以六角形格陣列、方形格陣列、矩形格陣列、菱形格陣列、平行四邊形格陣列、沃爾格模式、或自定義模式配置。

9.根據權利要求8所述的噴頭，其中所述孔口形成為延伸穿過所述面板的所述下側的槽口。

10.根據權利要求9所述的噴頭，其中所述槽口中的每一者以連續方式延伸橫跨所述面板的所述下側，并且所述槽口彼此平行定位。

11.根據權利要求9所述的噴頭，其中所述槽口在所述開口的位置處分別形成。

12.根據權利要求11所述的噴頭，其中所述槽口中的每一者在平行于所述面板的所述下側的方位上具有實質上矩形的橫截面形狀，所述槽口彼此平行地、或以彼此相對有序的方式、或以彼此相對隨機的方式定位。

13.根據權利要求11所述的噴頭，其中所述槽口中的每一者在平行于所述面板的所述下側的方位上具有曲線橫截面形狀，其中每一開口與所述面板內的單獨的成對的槽口相交。

14.根據權利要求13所述的噴頭，其中所述曲線橫截面形狀為C形或括號形狀。

15.根據權利要求8所述的噴頭，其中所述孔口中的每一者在平行于所述面板的所述下側的方位上具有圓形的橫截面形狀。

16.根據權利要求7所述的噴頭，其中所述開口以沃爾格模式配置，且所述孔口形成為延伸穿過所述面板的所述下側的溝槽，所述溝槽以沃爾格模式形成為與所述開口相交。