[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980081749.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113169219A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫正河;林載翊;金起范 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
顯示面板,包括像素區(qū)域;以及
輸入感測(cè)傳感器,設(shè)置在所述顯示面板上,其中所述輸入感測(cè)傳感器包括:
第一導(dǎo)電層,設(shè)置在所述顯示面板上;
第一絕緣層,設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上,并具有限定在與所述像素區(qū)域重疊的區(qū)域中的第一開口;
第二導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第一絕緣層上;
第二絕緣層,設(shè)置在所述第二導(dǎo)電層上,并具有限定在與所述像素區(qū)域重疊的區(qū)域中的第二開口;以及
第三絕緣層,設(shè)置在所述第二絕緣層上,并填充在所述第一開口和所述第二開口中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層具有第一折射率,所述第二絕緣層具有第二折射率,并且所述第三絕緣層具有高于所述第一折射率和所述第二折射率的第三折射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在平面上,所述第一開口的面積小于所述第二開口的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在平面上,所述第一開口的面積等于或大于所述像素區(qū)域的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在平面上,所述第一絕緣層的限定所述第一開口的側(cè)表面被所述第二絕緣層的限定所述第二開口的側(cè)表面圍繞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一導(dǎo)電層包括連接部分,并且所述第二導(dǎo)電層包括傳感器部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,所述傳感器部分中的每一個(gè)都具有網(wǎng)格形狀,所述傳感器部分具有限定在平面上的傳感器開口,并且所述傳感器開口與所述第一開口和所述第二開口重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一折射率和所述第二折射率各自為1.45至1.55,并且所述第三折射率為1.60至1.70。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示面板包括:
基礎(chǔ)層;
電路層,設(shè)置在所述基礎(chǔ)層上;
發(fā)光層,設(shè)置在所述電路層上;以及
封裝層,設(shè)置在所述發(fā)光層上,以及
所述輸入感測(cè)傳感器設(shè)置成與所述封裝層直接接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中,所述輸入感測(cè)傳感器還包括:
緩沖層,與所述封裝層直接接觸,且所述緩沖層設(shè)置在所述封裝層與所述第一導(dǎo)電層之間。
11.一種顯示裝置,包括:
顯示面板,包括像素區(qū)域;
第一絕緣層,設(shè)置在所述顯示面板上,具有第一折射率,并且具有限定在與所述像素區(qū)域重疊的區(qū)域中的第一開口;
第二絕緣層,設(shè)置在所述第一絕緣層上,具有第二折射率,并且在與所述第一開口對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有比所述第一開口大的第二開口;以及
第三絕緣層,覆蓋所述顯示面板、所述第一絕緣層和所述第二絕緣層,并且具有高于所述第一折射率和所述第二折射率的第三折射率,并且在平面上,所述第三絕緣層與所述像素區(qū)域重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,還包括:
第一導(dǎo)電層,設(shè)置在所述顯示面板與所述第一絕緣層之間;以及
第二導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,還包括:
第四絕緣層,設(shè)置在所述第一絕緣層與所述第二導(dǎo)電層之間,并且具有低于所述第三折射率的折射率,
其中,在所述第四絕緣層中限定有大于所述第一開口且小于所述第二開口的第三開口。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第一導(dǎo)電層包括連接部分,且所述第二導(dǎo)電層包括傳感器部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980081749.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





