[發(fā)明專利]保護膜形成用復合片及半導體芯片的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980080164.0
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN113169059A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 佐伯尚哉
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種保護膜形成用復合片，其具備支撐片與形成在所述支撐片的一個面上的保護膜形成用膜，

所述保護膜形成用復合片中的、所述支撐片側的最表層的表面電阻率為1.0×10¹¹Ω/□以下，

從于70℃加熱1分鐘后的所述保護膜形成用復合片中切取大小為10cm×20cm的試驗片，并使所述試驗片中的所述支撐片側的最表層與多孔工作臺的表面接觸，由此將所述試驗片載置在所述多孔工作臺上，使大小為6cm×10cm×2cm且質量為1kg的砝碼的、大小為6cm×10cm的面與所述試驗片中的保護膜形成用膜接觸，將所述砝碼載置在所述保護膜形成用膜上，使所述砝碼以10mm/分鐘的速度沿著平行于所述試驗片與所述多孔工作臺的接觸面的方向移動，并測定所述砝碼即將開始移動時的荷載時，所述荷載的測定值為20N以下。

2.根據權利要求1所述的保護膜形成用復合片，其中，

所述保護膜形成用膜為熱固性，

所述表面電阻率為所述保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜于130℃熱固化2小時后的表面電阻率。

3.根據權利要求1或2所述的保護膜形成用復合片，其中，

所述支撐片具備基材與形成在所述基材的單面或兩面上的抗靜電層；或者

所述支撐片具備具有抗靜電性的基材作為抗靜電層。

4.根據權利要求3所述的保護膜形成用復合片，其中，形成在所述基材的單面或兩面上的抗靜電層的厚度為100nm以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的保護膜形成用復合片，其中，所述支撐片的總透光率為80％以上。

6.根據權利要求3～5中任一項所述的保護膜形成用復合片，其中，在具有面積為2cm×2cm且為平面狀的按壓面的按壓工具的所述按壓面上，覆蓋法蘭絨布，將覆蓋有所述法蘭絨布的所述按壓面按壓在所述抗靜電層的表面上，在該狀態(tài)下，一邊利用所述按壓工具對所述抗靜電層施加125g/cm²的荷載而進行按壓，一邊使所述按壓工具以10cm的直線距離往返運動10次，由此對所述抗靜電層進行摩擦后，對所述抗靜電層的該經摩擦的面中的面積為2cm×2cm的區(qū)域進行肉眼觀察時，未觀察到劃痕。

7.一種半導體芯片的制造方法，其具有：

將權利要求1～6中任一項所述的保護膜形成用復合片中的保護膜形成用膜貼附在半導體晶圓上的工序；

使已貼附在所述半導體晶圓上的所述保護膜形成用膜固化，從而形成保護膜的工序；

分割所述半導體晶圓，并切斷所述保護膜或保護膜形成用膜，從而制作層疊體的工序，所述層疊體具備：支撐片；設置在所述支撐片的一個面上的、切斷后的所述保護膜或保護膜形成用膜；及設置在所述切斷后的保護膜或保護膜形成用膜的與所述支撐片側為相反側的面上的半導體芯片；及

將所述層疊體中的具備所述切斷后的保護膜或保護膜形成用膜的半導體芯片從所述支撐片上分離并拾取的工序，

進一步，在所述制作層疊體的工序與所述拾取工序之間，具有將固定在工作臺上的所述層疊體從所述工作臺上分離的工序，

在所述分離工序中，固定在工作臺上的所述層疊體的所述支撐片側的最表層的表面與所述工作臺接觸，所述工作臺的所述層疊體的固定面為陶瓷制或不銹鋼制。