[發(fā)明專利]具有改良的熱耦合以用于熱敏感處理的靜電吸盤在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980080012.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113169111A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邦妮·T·基亞;羅斯·馬歇爾;松下智治;蔡振雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/324;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 改良 耦合 用于 敏感 處理 靜電 吸盤 | ||
1.一種靜電吸盤,包括:
電極;
介電體,所述介電體具有圓盤形狀并覆蓋所述電極,所述介電體包含中心區(qū)域和周圍區(qū)域,且所述介電體包含下表面與上表面,所述下表面具有中心開口,所述上表面在所述中心區(qū)域中具有第一開口以及在所述周圍區(qū)域中具有多個(gè)第二開口,其中所述上表面包含多個(gè)突部,且所述多個(gè)第二開口中的各者的直徑大于25.0密耳;
氣體分配通道,所述氣體分配通道從所述下表面延伸到所述上表面以限定所述介電體內(nèi)的氣室,所述氣體分配通道包含第一通道、多個(gè)徑向通道與多個(gè)第二通道,所述第一通道從所述中心開口延伸到所述第一開口,所述多個(gè)徑向通道從所述第一通道延伸到設(shè)置在所述周圍區(qū)域中的環(huán)形通道,所述多個(gè)第二通道從所述環(huán)形通道延伸到所述多個(gè)第二開口;和
加熱器,所述加熱器設(shè)置在所述介電體中。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)徑向通道中的各者在相鄰的第二通道之間延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)第二開口包括與所述第一開口等距離且沿著所述周圍區(qū)域以等間隔地布置的八個(gè)第二開口。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)徑向通道包括四個(gè)徑向通道。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)第二通道從所述環(huán)形通道到所述多個(gè)第二開口的長(zhǎng)度大于120.0密耳。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)突部限定基板接收表面以及在所述突部之間的凹部,其中所述凹部經(jīng)配置在將基板設(shè)置在所述多個(gè)突部上時(shí)使氣體流過所述介電體。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電吸盤,其中所述多個(gè)突部包括第一組突部與第二組突部,所述第一組突部設(shè)置在所述靜電吸盤的所述中心區(qū)域中,所述第二組突部設(shè)置在所述靜電吸盤的所述周圍區(qū)域中,所述第一組突部具有比所述第二組突部大的表面積。
8.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤,其中所述介電體包括用于容納熱電偶的開口。
9.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤,其中所述加熱器包括內(nèi)部加熱器與外部加熱器,所述內(nèi)部加熱器具有設(shè)置在所述中心區(qū)域中的電阻加熱元件,所述外部加熱器具有設(shè)置在所述周圍區(qū)域中的電阻加熱元件。
10.一種基板支撐件,包括:
空心軸;
殼體,所述殼體耦接到所述空心軸;和
如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤,其中所述介電體耦接到所述殼體,并且其中所述加熱器包括設(shè)置在所述介電體中的一個(gè)或多個(gè)加熱元件。
11.如權(quán)利要求10所述的基板支撐件,其中所述基座包括一個(gè)或多個(gè)通孔,以容納升降銷。
12.如權(quán)利要求10所述的基板支撐件,其中所述基座進(jìn)一步包括冷卻板,所述冷卻板耦接至所述基座的基部。
13.如權(quán)利要求10所述的基板支撐件,其中所述一個(gè)或多個(gè)加熱元件包括設(shè)置在所述中心區(qū)域中的第一電阻加熱元件以及設(shè)置在所述周圍區(qū)域中的第二電阻加熱元件。
14.如權(quán)利要求10所述的基板支撐件,其中所述多個(gè)第二開口包括沿著所述介電體的所述周圍區(qū)域以規(guī)則間距布置的八個(gè)第二開口。
15.一種處理腔室,包括:
腔室主體;和
設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)的如權(quán)利要求10所述的基板支撐件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





