[發(fā)明專利]用于高生產(chǎn)量掃描束離子注入機的掃描和校正器磁體設(shè)計

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980078886.2
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN113169011A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 愛德華·艾伊斯勒;伯·范德伯格
• 申請（專利權(quán)）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號: H01J37/147
• 分類號: H01J37/147;H01J37/317
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 劉芳;壽寧

1.一種離子注入系統(tǒng)，包括：

離子源，其構(gòu)造成形成離子束；

質(zhì)量分析器，其構(gòu)造成對所述離子束進行質(zhì)量分析；

電源，其構(gòu)造成提供掃描波形；

磁性掃描儀，其構(gòu)造成基于所述掃描波形沿掃描路徑選擇性地掃描所述離子束，從而限定由多個子束組成的掃描離子束；以及

磁性校正器裝置，其構(gòu)造成在整個工件上以大體上恒定的入射角朝向所述工件引導(dǎo)所述掃描離子束，其中，所述磁性掃描儀和所述磁性校正器裝置中的一個或更多個構(gòu)造成在理想點離子束以基本上恒定的掃描速度完全掃描所述工件的理想情況下，提供非均勻通量分布，所述非均勻通量分布具有從所述工件的中心向所述工件的邊緣基本上單調(diào)增加的通量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述磁性校正器裝置包括多個磁極，所述多個磁極構(gòu)造成在所述工件處限定所述掃描離子束的所述非均勻通量分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述非均勻通量分布大體上由與所述工件的邊緣相關(guān)聯(lián)的第一射束通量和與所述工件的中心區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第二射束通量限定，其中，所述第一射束通量大于所述第二射束通量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述第一射束通量比所述第二射束通量大10％至100％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述非均勻通量分布包括在所述工件的中心區(qū)域上大體上均勻并且在所述工件的邊緣處增加的通量，其中所述中心區(qū)域表示所述工件的長度的20％至80％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述非均勻通量分布大體上是拋物線形的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，還包括控制器，所述控制器構(gòu)造成經(jīng)由對所述磁性掃描儀和所述磁性校正器裝置中的一個或更多個的控制來控制所述非均勻通量分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述磁性校正器裝置包括S形彎曲構(gòu)型的一對相反極性的雙極磁體。

9.一種離子注入系統(tǒng)，包括

離子源，其構(gòu)造成形成離子束；

質(zhì)量分析器，其構(gòu)造成對所述離子束進行質(zhì)量分析；

掃描儀電源，其構(gòu)造成提供掃描波形；

掃描儀，其構(gòu)造成基于所述掃描波形沿掃描路徑選擇性地掃描所述離子束，從而限定由多個子束組成的掃描離子束；以及

磁性校正器裝置，其構(gòu)造成在整個工件上以大體上恒定的入射角朝向所述工件引導(dǎo)所述掃描離子束，其中，所述掃描儀和所述磁性校正器裝置中的一個或更多個構(gòu)造成在理想點離子束以基本上恒定的掃描速度完全掃描所述工件的理想情況下，提供非均勻通量分布，所述非均勻通量分布具有從所述工件的中心向所述工件的邊緣基本上單調(diào)增加的通量。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，還包括控制器，所述控制器構(gòu)造成經(jīng)由所述掃描儀和所述磁性校正器裝置中的一個或更多個的控制來控制所述非均勻通量分布。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述控制器進一步構(gòu)造成控制所述掃描儀電源，使得所述掃描儀進一步構(gòu)造成在所述工件處提供所述掃描離子束的所述非均勻通量分布。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述掃描儀包括磁性掃描儀。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述磁性校正器裝置包括S形彎曲構(gòu)型的一對相反極性的雙極磁體。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述工件的邊緣處的通量比所述工件的中心處的通量大10％至100％。