[發明專利]用于降低機器學習模型預測中的不確定性的方法

在審

• 申請號: 201980078859.5
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN113168556A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: S·A·米德爾布魯克;M·G·M·M·范克萊杰;M·皮薩倫科
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G06N3/04
• 分類號: G06N3/04;G06N3/08;G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳

本文描述了一種用于量化參數化(例如，機器學習)模型預測中的不確定性的方法。該方法包括使參數化模型預測來自參數化模型的針對給定輸入的多個后驗分布。該多個后驗分布包括多個分布中的分布。該方法包括通過從多個分布中的分布采樣來確定針對給定輸入的所預測的多個后驗分布的可變性；并使用所預測的多個后驗分布中的所確定的可變性來量化參數化模型預測中的不確定性。參數化模型包括編碼器?解碼器架構。該方法包括使用所預測的多個后驗分布中的所確定的可變性來調整參數化模型以降低參數化模型的不確定性用于預測晶片幾何、重疊和/或其他信息作為半導體制造過程的一部分。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年11月30日提交的歐洲申請18209496.1以及于2019年6月26日提交的歐洲申請19182658.5的優先權，其整體內容通過引用并入于此。

技術領域

本文的說明總體上涉及掩模制造和圖案化過程。更具體地，本說明涉及一種用于確定和/或降低參數化(例如，機器學習)模型預測中的不確定性的裝置和方法。

背景技術

光刻投影裝置可以例如在集成電路(IC)的制造中被使用。在這樣的情況下，圖案化器件(例如，掩模)可以包含或提供與IC的單獨層相對應的圖案(“設計布局”)，并且該圖案可以通過諸如通過圖案化器件上的圖案而輻照目標部分的方法而被轉移到襯底(例如，硅晶片)上已被涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)的層的目標部分(例如，包括一個或多個管芯)上。通常，單個襯底包含多個相鄰目標部分，圖案由光刻投影裝置連續轉移到該多個相鄰目標部分，一次一個目標部分。在一種類型的光刻投影裝置中，整個圖案化器件上的圖案在一次操作中被轉移到一個目標部分上。這樣的裝置通常被稱為步進器。在通常被稱為步進掃描裝置的備選裝置中，投射光束在與給定參考方向(“掃描”方向)平行或反平行地同步移動襯底的同時沿該參考方向掃描圖案化器件。圖案在圖案化器件上的不同部分被逐漸地轉移到一個目標部分。因為通常光刻投影裝置將具有縮小率M(例如4)，所以襯底被移動的速度F將是投影光束掃描圖案化器件的速度的1/M倍。關于如本文所描述的光刻裝置的更多信息例如可以從US 6,046,792中收集，其通過引用并入本文。

在將圖案從圖案化器件轉移到襯底之前，襯底可以經歷各種過程，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟烘烤。在曝光之后，襯底可以遭受其他過程(“曝光后過程”)，諸如后曝光烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和所轉移圖案的測量/檢查。該一系列過程被用作制造器件(例如IC)的單獨層的基礎。然后，襯底可以經歷全部旨在完成器件的單獨層的各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等。如果若干層在器件中被需要，那么對于每一層重復整個過程或其變型。最終，器件將存在于襯底上的每個目標部分中。然后，通過諸如切割或鋸切的技術將這些器件彼此分離，從而可以將單獨器件安裝在載體上、連接到引腳等。

因此，諸如半導體器件的制造器件通常涉及使用許多制造過程來處理襯底(例如，半導體晶片)以形成器件的各種特征和多個層。通常使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學機械拋光和離子注入來制造和處理這樣的層和特征。多個器件可以在襯底上的多個管芯上被制造，然后被分離成單獨器件。該器件制造過程可以被認為是圖案化過程。圖案化過程涉及圖案化步驟，諸如使用光刻裝置中的圖案化器件進行光學和/或納米壓印光刻，以將圖案化器件上的圖案轉移到襯底上，并且通常但可選地涉及一個或多個相關的圖案處理步驟，諸如由顯影裝置進行抗蝕劑顯影，使用烘烤工具對襯底的烘烤，使用蝕刻裝置使用圖案進行蝕刻等等。在圖案化過程中通常涉及一個或多個計量過程。

如所指出的，光刻是制造諸如IC的器件中的核心步驟，其中在襯底上所形成的圖案限定器件的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等等。類似的光刻技術還被用于形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)和其他器件。