[發明專利]存儲器陣列

在審

• 申請號: 201980078563.3
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN113169172A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: S·D·唐;R·J·希爾;李宜芳;M·C·羅伯茨
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11514
• 分類號: H01L27/11514;H01L27/11504;H01L27/11512;H01L27/11509
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器陣列，其包括：

絕緣材料和存儲器單元的豎直交替層，所述存儲器單元個別地包括：

晶體管，其包括其間具有溝道區的第一和第二源極/漏極區以及以操作方式接近所述溝道區的柵極；以及

電容器，其包括其間具有電容器絕緣體的第一和第二電極，所述第一電極電耦合到所述第一源極/漏極區；

字線結構，其豎向地延伸穿過所述豎直交替層的所述絕緣材料和所述存儲器單元，所述存儲器單元層中的不同者的所述柵極的個別者直接電耦合到所述字線結構的個別者；以及

感測線，其電耦合到所述晶體管的個別者的所述第二源極/漏極區中的多個。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述溝道區的至少一部分是水平定向的以用于所述第一和第二源極/漏極區之間的部分中的水平電流流動。

3.根據權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述溝道區的僅一部分是水平定向的以用于所述第一和第二源極/漏極區之間的所述部分中的水平電流流動。

4.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中，

所述第一電極直接電耦合到所述第一源極/漏極區；并且

所述感測線直接電耦合到所述第二源極/漏極區中的所述多個。

5.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述陣列中的所述電容器中的多個的所述第二電容器電極電耦合到彼此。

6.根據權利要求5所述的存儲器陣列，其包括豎向延伸的壁，所述壁水平地縱向延長且使所述多個電容器的所述第二電容器電極彼此直接電耦合。

7.根據權利要求5所述的存儲器陣列，其包括使所述多個電容器的所述第二電容器電極彼此直接電耦合的多個支柱。

8.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述字線結構個別地包括豎直的或在豎直10°內的支柱部分，所述柵極個別地包括周向圍繞所述支柱部分徑向突出的環形區。

9.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述溝道區包括在直線豎直橫截面中面向彼此的對置的C形形狀。

10.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述個別字線結構直接電耦合到在所述豎直交替層上方或下方的水平的縱向延長的線的個別者。

11.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述第一和第二源極/漏極區中的一者在另一者上方。

12.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述一者在所述另一者正上方。

13.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述第二源極/漏極區在所述第一源極/漏極區上方。

14.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述第一源極/漏極區在所述第二源極/漏極區上方。

15.一種存儲器陣列，其包括：

絕緣材料和存儲器單元的豎直交替層，所述存儲器單元個別地包括：

晶體管，其包括其間具有溝道區的第一和第二源極/漏極區以及以操作方式接近所述溝道區的柵極；以及

電容器，其包括其間具有電容器絕緣體的第一和第二電極，所述第一電極電耦合到所述第一源極/漏極區；

水平延伸的感測線，其在所述存儲器單元層的個別者中，所述個別存儲器單元層中的所述第二源極/漏極區的個別者電耦合到相應個別存儲器單元層中的所述水平延伸的感測線的個別者；以及

字線，其將所述晶體管的個別者的所述柵極中的多個電耦合在一起。

16.根據權利要求15所述的存儲器陣列，其中所述個別存儲器單元層中的所述個別第二源極/漏極區直接電耦合到所述相應個別存儲器單元層中的所述個別水平延伸的感測線。