[發明專利]導熱系數估計方法、導熱系數估計裝置、半導體晶體制品的制造方法、導熱系數運算裝置、導熱系數運算程序以及導熱系數運算方法

在審

• 申請號: 201980078556.3
• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN113366303A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 橫山龍介;藤原俊幸;樋口雄介;宇治原徹
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: G01N25/18
• 分類號: G01N25/18;C30B35/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;呂傳奇

1.一種導熱系數估計方法，其特征在于，具備：

準備半導體晶體制品的制造裝置的構成部件作為測量試樣的步驟；

將測量試樣的一部分以規定的加熱條件加熱，測量穩定狀態下的所述測量試樣的表面的溫度分布的步驟；

對與所述測量試樣相同的形狀的試樣模型的假定的導熱系數及加熱條件的多個組合實施傳熱模擬，對所述多個組合的各個計算所述試樣模型的表面的溫度分布的步驟；

將在所述傳熱模擬中所使用的所述多個組合及由該多個組合所得的溫度分布的計算結果作為訓練數據，使用機械學習法制作將輸入作為所述測量試樣的表面的溫度分布且將輸出作為所述測量試樣的導熱系數的回歸模型的步驟；及

將所述測量試樣的表面的溫度分布測量結果輸入至所述回歸模型來估計所述測量試樣的導熱系數的步驟。

2.根據權利要求1所述的導熱系數估計方法，其特征在于，

在使用機械學習法制作所述回歸模型的步驟中，制作將輸入作為所述測量試樣的表面的溫度分布與該溫度分布測量時的加熱條件的回歸模型，

在估計所述導熱系數的步驟中，將所述溫度分布測量結果與所述溫度分布測量時的加熱條件輸入至所述回歸模型來估計所述測量試樣的導熱系數。

3.根據權利要求1或2所述的導熱系數估計方法，其特征在于，

在計算所述試樣模型的表面的溫度分布的步驟中，實施以與所述溫度分布的測量時相同的測量系統為前提的傳熱模擬。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的導熱系數估計方法，其特征在于，

在計算所述試樣模型的表面的溫度分布的步驟中，實施以與所述表面的溫度分布的測量時相同的氣體環境為前提的傳熱模擬。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的導熱系數估計方法，其特征在于，

所述測量試樣為所述構成部件的代用材料。

6.一種導熱系數估計裝置，其特征在于，具備：

將作為測量試樣所準備的半導體晶體制品的制造裝置的構成部件的一部分以規定的加熱條件加熱，測量穩定狀態下的所述測量試樣的表面的溫度分布的測量部；

對與所述測量試樣相同的形狀的試樣模型的假定的導熱系數及加熱條件的多個組合實施傳熱模擬，對所述多個組合的各個計算所述試樣模型的表面的溫度分布的計算部；

將在所述傳熱模擬中所使用的所述多個組合及由該多個組合所得的溫度分布的計算結果作為訓練數據，使用機械學習法制作將輸入作為所述測量試樣的表面的溫度分布且將輸出作為所述測量試樣的導熱系數的回歸模型的機械學習部；及

將所述測量試樣的表面的溫度分布測量結果輸入至所述回歸模型來估計所述測量試樣的導熱系數的估計部。

7.根據權利要求6所述的導熱系數估計裝置，其特征在于，

所述機械學習部制作將輸入作為所述測量試樣的表面的溫度分布與該溫度分布測量時的加熱條件的回歸模型，

所述估計部將所述溫度分布測量結果與所述溫度分布測量時的加熱條件輸入至所述回歸模型來估計所述測量試樣的導熱系數。

8.根據權利要求6或7所述的導熱系數估計裝置，其特征在于，

所述計算部實施以與所述表面的溫度分布的測量時相同的測量系統為前提的傳熱模擬。

9.根據權利要求6～8中任一項所述的導熱系數估計裝置，其特征在于，

所述計算部實施以與所述表面的溫度分布的測量時相同的氣體環境為前提的傳熱模擬。

10.根據權利要求9所述的導熱系數估計裝置，其特征在于，

所述測量部具備容納所述測量試樣的測量盒。

11.根據權利要求10所述的導熱系數估計裝置，其特征在于，

所述測量部具備將所述測量盒的溫度維持為恒定溫度的溫度維持部。