[發(fā)明專利]非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980078312.5
• 申請(qǐng)日: 2019-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN113169167A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·斯里尼瓦桑;S·瓦拉巴普;維賈雅·斯里尼瓦蘇·瓦拉巴普拉普
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南非大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/00
• 分類號(hào): H01L27/00;H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 王艷波;王珺

1.一種非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM，包括：

第一電極；

第二電極；以及

位于所述第一和第二電極之間的電阻式切換/有源層，其中所述切換層含有

殼聚糖，和

鋁摻雜/摻入的氧化鋅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ReRAM，其中所述切換/有源層被構(gòu)造為根據(jù)施加的電壓執(zhí)行切換操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ReRAM，其中所述切換/有源層是膜的形式。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ReRAM，其中所述切換/有源層被涂覆/施加到所述第一電極上，并且所述第二電極被設(shè)置/施加/提供在所述切換/有源層上方，使得所述切換/有源層位于/楔入這兩個(gè)電極中間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ReRAM，其中所述第一電極至少部分地由銦錫氧化物制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ReRAM，其中所述ReRAM包括玻璃基板，并且其中所述第一電極被涂覆/提供在所述玻璃基板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ReRAM，其中所述第一電極由涂覆/提供在所述玻璃基板上的銦錫氧化物制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ReRAM，其中所述第二電極至少部分地由金屬制成。

9.一種非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM切換層成分，包括：

殼聚糖，和

鋁摻雜/摻入的氧化鋅。

10.一種用于制造非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM的方法，其中所述方法包括：

在第一電極和第二電極之間提供切換層，其中所述切換層含有殼聚糖和鋁摻雜/摻入的氧化鋅。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括：將所述切換層涂覆到所述第一電極上。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括：將所述切換層涂覆到基板上，在所述基板上形成/提供所述第一電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述涂覆步驟包括：將所述切換層旋涂到所述基板上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一電極至少部分地由銦錫氧化物制成。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二電極至少部分地由金屬制成。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述基板是玻璃基板。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，包括：通過制備殼聚糖溶液制備/制作所述切換層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述制備/制作所述切換層的步驟包括：將鋁摻雜的氧化鋅納米粒子添加到所述殼聚糖溶液。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述制備/制作所述切換層的步驟還包括：將一層所述溶液旋涂到所述基板上以在所述基板上提供的所述第一電極上方形成所述切換層。

20.一種非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM模塊/裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM。

21.一種非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM模塊/裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM切換層成分。

22.一種用于制造非易失性電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ReRAM模塊/裝置的方法，其中所述方法包括：

在第一電極和第二電極之間提供切換層，其中所述切換層含有殼聚糖和鋁摻雜/摻入的氧化鋅。