[發明專利]高頻傳輸裝置及高頻信號傳輸方法

有效

• 申請號: 201980078205.2
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN113169431B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 近藤快人;笹田浩介
• 申請（專利權）人: 星電株式會社
• 主分類號: H01P3/08
• 分類號: H01P3/08;H01B7/30;H01B11/00;H01P3/00;H01P3/02;H01P3/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙彤;劉久亮

1.一種高頻傳輸裝置，該高頻傳輸裝置包括：

電介質；以及

傳輸線，該傳輸線適于傳輸高頻信號，其中，

所述傳輸線的至少一部分位于所述電介質上或所述電介質內，

所述傳輸線的至少一部分由電阻降低材料構成，所述電阻降低材料由微粒構成，并且

所述電阻降低材料具有以下物理特性：在要通過所述傳輸線傳輸的高頻信號的頻率在一個或更多個特定頻帶內的情況下，所述電阻降低材料的交流電阻值急劇下降，

所述傳輸線包括：

至少一個信號導體，所述信號導體或每個信號導體中的至少一部分設置在所述電介質上或所述電介質內；以及

第一接地導體，該第一接地導體沿著所述信號導體或每個信號導體的至少一部分延伸，并且

所述至少一個信號導體或所述第一接地導體中的一個導體包括：

第一導體部，該第一導體部的直流電阻值小于所述電阻降低材料的直流電阻值；以及

第二導體部，該第二導體部由所述電阻降低材料構成。

2.根據權利要求1所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述微粒是導體微粒，并且

所述電阻降低材料由多晶體構成，該多晶體由所述導體微粒構成。

3.根據權利要求1所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述微粒是半導體微粒，并且

所述電阻降低材料由所述半導體微粒構成。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述第二導體部布置在比所述一個導體的所述第一導體部更靠近另一導體的一側。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述至少一個信號導體和所述第一接地導體中的每一個包括：

第一導體部，該第一導體部的直流電阻值小于所述電阻降低材料的直流電阻值；以及

第二導體部，該第二導體部由所述電阻降低材料構成，

所述至少一個信號導體的所述第二導體部布置在比相應信號導體的所述第一導體部更靠近所述第一接地導體的一側，并且

所述第一接地導體的所述第二導體部布置在比所述第一接地導體的所述第一導體部更靠近所述至少一個信號導體的一側。

6.根據權利要求4所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述傳輸線還包括第二接地導體，該第二接地導體沿著所述信號導體或每個信號導體的至少一部分延伸，并且

所述第一接地導體相對于所述至少一個信號導體布置在一側上，并且所述第二接地導體相對于所述至少一個信號導體布置在另一側。

7.根據權利要求6所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述至少一個信號導體還包括第三導體部，該第三導體部由所述電阻降低材料構成，并且

所述至少一個信號導體的所述第二導體部布置在比相應信號導體的所述第一導體部更靠近所述第一接地導體的一側，并且相應信號導體的所述第三導體部布置在比相應信號導體的所述第一導體部更靠近所述第二接地導體的一側。

8.根據權利要求6所述的高頻傳輸裝置，

其中，所述第二接地導體包括：

第一導體部，該第一導體部的直流電阻值小于所述電阻降低材料的直流電阻值；以及

第二導體部，該第二導體部由所述電阻降低材料構成，并且

所述第二接地導體的所述第二導體部布置在比所述第二接地導體的所述第一導體部更靠近所述至少一個信號導體的一側。

9.根據權利要求4所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述第二導體部固定至所述第一導體部的至少一部分。

10.根據權利要求7所述的高頻傳輸裝置，其中，

所述至少一個信號導體的所述第三導體部固定至相應信號導體的所述第一導體部的至少一部分。