[發明專利]聲學裝置有效
| 申請號: | 201980078102.6 | 申請日: | 2019-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN113196802B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | C·金 | 申請(專利權)人: | 美商樓氏電子有限公司 |
| 主分類號: | H04R11/02 | 分類號: | H04R11/02;H04R25/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王青芝;王小東 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聲學 裝置 | ||
1.一種聲學裝置,所述聲學裝置包括:
殼體;
基于電樞的聲學接收器,該基于電樞的聲學接收器設置在所述殼體中,并且具有:隔膜,該隔膜連接到電樞;第一線圈,該第一線圈設置在所述殼體中并且設置在所述電樞的一部分周圍;以及第二線圈,該第二線圈設置在所述殼體中并且設置在所述電樞附近,所述隔膜至少部分地限定所述殼體的后容積和前容積,所述前容積聲耦合到所述聲學裝置的輸出,所述基于電樞的聲學接收器被構造成響應于施加到所述第一線圈的激勵信號而在所述聲學裝置的輸出處產生聲學信號,所述殼體中的所述第二線圈被定位為響應于所述電樞的磁通量的變化而產生電輸出信號,以及
電路,該電路聯接到所述第二線圈,所述電路被構造為從所述第二線圈接收所述電輸出信號,
其中,所述第二線圈的所述電輸出信號指示聲學裝置的狀態的變化。
2.根據權利要求1所述的聲學裝置,所述聲學裝置的所述狀態是聲學性能,所述電路能操作以基于所述第二線圈的所述電輸出信號的變化來確定所述聲學性能的變化。
3.根據權利要求2所述的聲學裝置,所述電路能操作以向所述第一線圈施加激勵信號并評估所述第二線圈的電輸出信號的特性的變化,其中,所述特性包括檢測到的磁響應的零位置、峰值振幅或零帶寬。
4.根據權利要求1所述的聲學裝置,所述聲學裝置的所述狀態是加速度,所述電路能操作以基于所述第二線圈的所述電輸出信號的變化來確定所述加速度的變化。
5.根據權利要求1所述的聲學裝置,所述聲學裝置還包括具有三個電隔離觸點的電接口,所述第一線圈和所述第二線圈中的每一個具有第一引線和第二引線,其中,三個觸點中的一個將所述第一線圈的第一引線連接到所述第二線圈的第一引線,其他兩個觸點中的每一個被構造成連接到所述第一線圈和所述第二線圈的第二引線中的相應引線。
6.根據權利要求1所述的聲學裝置,所述聲學裝置還包括具有四個電隔離觸點的電接口,所述第一線圈和所述第二線圈中的每一個具有第一引線和第二引線,其中,每個觸點電聯接到所述第一線圈和所述第二線圈的相應引線。
7.根據權利要求1所述的聲學裝置,其中,所述第二線圈按以下構造中的至少一個構造纏繞:圍繞所述第一線圈的外表面的至少一部分;與所述第一線圈并排;以及與所述第一線圈相互纏繞。
8.一種聲學裝置,所述聲學裝置包括:
殼體;
基于電樞的聲學接收器,該基于電樞的聲學接收器具有:隔膜,該隔膜連接到電樞,并設置在所述殼體中;第一線圈,該第一線圈設置在所述殼體中并且設置在所述電樞的一部分周圍;以及第二線圈,該第二線圈設置在所述殼體中并且設置在所述電樞附近,所述隔膜至少部分地限定所述殼體的后容積和前容積,所述前容積聲耦合到所述聲學裝置的輸出,所述基于電樞的聲學接收器被構造成響應于施加到所述第一線圈的激勵信號而在所述聲學裝置的輸出處產生聲學信號,所述殼體中的所述第二線圈被定位為響應于所述電樞的磁通量的變化而產生電輸出信號,所述第二線圈具有電特性,所述電特性被選擇以唯一地識別所述基于電樞的聲接收器或所述基于電樞的聲接收器的特性;以及
電路,該電路聯接到所述第二線圈,所述電路被構造成從所述第二線圈接收所述電輸出信號,
其中,所述第二線圈的所述電輸出信號指示聲學裝置的操作的變化。
9.根據權利要求8所述的聲學裝置,所述聲學裝置還包括接口,所述接口聯接到所述第二線圈,其中,所述第二線圈的所述電特性能經由所述接口被詢問,以識別所述基于電樞的聲學接收器或所述基于電樞的聲學接收器的特性。
10.根據權利要求9所述的聲學裝置,其中,所述接口是所述基于電樞的聲學接收器的一部分,并且所述第二線圈的所述電特性包括電阻。
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