[發明專利]金屬化合物粒子群、蓄電裝置用電極、蓄電裝置、及金屬化合物粒子群的制造方法在審
| 申請號: | 201980076658.1 | 申請日: | 2019-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN113165898A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 湊啓裕;石本修一;村重隆太;直井勝彥;直井和子 | 申請(專利權)人: | 日本貴彌功株式會社 |
| 主分類號: | C01G23/00 | 分類號: | C01G23/00;H01M4/36;H01M4/485;H01G11/06;H01G11/24;H01G11/62;H01M10/052;H01M10/0568 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王程 |
| 地址: | 日本東京品*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 化合物 粒子 裝置 用電 制造 方法 | ||
1.一種金屬化合物粒子群,具有金屬化合物粒子相連而成的三維網狀結構,其中,
在所述金屬化合物粒子群的一部分上形成有包含硅氧化物的涂布層。
2.根據權利要求1所述的金屬化合物粒子群,其中,所述包含硅氧化物的涂布層形成在所述金屬化合物粒子的表面的至少一部分上。
3.根據權利要求1或2所述的金屬化合物粒子群,其特征在于,Si元素的含量相對于金屬化合物粒子群整體為0.4以上且3.0wt%以下。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬化合物粒子群,其中,在所述三維網狀結構中存在空隙,
在劃定所述空隙的所述金屬化合物粒子上,在其表面形成有所述包含硅氧化物的涂布層。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的金屬化合物粒子群,其中,所述涂布層中含有的硅氧化物為非晶狀的硅氧化物。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的金屬化合物粒子群,其具有相對于10nm以下的細孔徑而言為超過0.008dVp/drp的細孔容積變化率,所述細孔容積變化率是根據利用氮氣吸附測定法對所述金屬化合物粒子群進行測定而得的細孔分布所換算的細孔容積變化率。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的金屬化合物粒子群,其中,相對于未形成所述包含硅氧化物的涂布層的金屬化合物粒子群,積分強度的減少率為25%以上。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的金屬化合物粒子群,其中,所述金屬化合物粒子為鈦酸鋰。
9.一種蓄電裝置用電極,包含根據權利要求1至8中任一項所述的金屬化合物粒子群而構成。
10.一種蓄電裝置,包括:
元件,具有作為根據權利要求9所述的蓄電裝置用電極的負極及正極;以及
電解液,含浸在所述元件中,
所述電解液包含含氟化合物。
11.一種金屬化合物粒子群的制造方法,包括:
混合工序,混合作為基礎的金屬化合物粒子群與硅氧化物的原料;以及
加熱工序,在300℃~600℃下加熱通過混合工序而獲得的粉末。
12.根據權利要求11所述的金屬化合物粒子群的制造方法,其中,所述硅氧化物的原料以相對于作為基礎的金屬化合物粒子群的重量為1wt%~20wt%的比例進行混合。
13.根據權利要求12所述的金屬化合物粒子群的制造方法,其中,所述硅氧化物的原料以相對于作為基礎的金屬化合物粒子群的重量為3wt%~20wt%的比例進行混合。
14.根據權利要求11至13中任一項所述的金屬化合物粒子群的制造方法,其中,在所述混合工序中進一步混合一種或兩種以上的堿性化合物。
15.根據權利要求11至13中任一項所述的金屬化合物粒子群的制造方法,其中,在所述混合工序之前,包括利用堿性化合物對作為基礎的金屬化合物粒子群進行前處理的前處理工序。
16.根據權利要求14或15所述的金屬化合物粒子群的制造方法,其中,所述堿性化合物為堿金屬或堿土類金屬的氫氧化物、乙酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽、硝酸鹽、氯化物、無機系堿性劑或有機系堿性劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日本貴彌功株式會社,未經日本貴彌功株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980076658.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





