[發明專利]倒角部處理劑組合物和晶圓的制造方法

在審

• 申請號: 201980076584.1
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN113169060A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 福井由季;奧村雄三;照井貴陽;公文創一
• 申請（專利權）人: 中央硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/312
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種倒角部處理劑組合物，其為用于對晶圓的倒角部進行處理的、含有甲硅烷基化劑的倒角部處理劑組合物，

按照下述步驟(1)～(4)測得的表面改質指標Y與表面改質指標Z滿足0.5≤Y/Z≤1.0，

(步驟)

(1)利用該倒角部處理劑組合物對在表面具有厚度1μm的硅氧化膜(SiO₂膜)的基板進行處理，處理條件如下：將所述基板在室溫下浸漬于1質量％的氫氟酸水溶液中10分鐘，接著，在純水中浸漬1分鐘、在2-丙醇(iPA)中浸漬1分鐘，接著，在該倒角部處理劑組合物中以25℃浸漬1分鐘，接著，在iPA中浸漬1分鐘，最后，將所述基板從iPA中取出，吹送空氣，將所述基板表面的iPA去除，

(2)用水與iPA的混合比率不同的多個測定用液體，根據Zisman Plot法求出(1)處理后的硅氧化膜的臨界表面張力，將得到的臨界表面張力的值(mN/m)作為“表面改質指標Y”，

(3)利用該倒角部處理劑組合物對在表面具有厚度50nm的硅氮化膜(SiN膜)的基板進行處理，處理條件如下：將所述基板在室溫下浸漬于1質量％的氫氟酸水溶液中10分鐘，接著，在純水中浸漬1分鐘，在iPA中浸漬1分鐘，接著，在該倒角部處理劑組合物中以25℃浸漬1分鐘，接著，在iPA中浸漬1分鐘，最后，將所述基板從iPA中取出，吹送空氣，將所述基板表面的iPA去除，

(4)用水與iPA的混合比率不同的多個測定用液體，根據Zisman Plot法求出(3)處理后的硅氮化膜的臨界表面張力，將得到的臨界表面張力的值(mN/m)作為“表面改質指標Z”。

2.根據權利要求1所述的倒角部處理劑組合物，其中，

所述表面改質指標Y滿足15mN/m≤Y≤26mN/m。

3.根據權利要求1或2所述的倒角部處理劑組合物，其中，

所述甲硅烷基化劑包含下述通式[1]所示的硅化合物，

R¹_aSi(H)_bX_4-a-b [1]

所述通式[1]中，R¹各自彼此獨立地是包含一部分或全部氫元素任選被氟元素所取代的碳數為1～18的烴基的有機基團，X各自彼此獨立地是鍵合于Si元素的元素為氮、氧、碳、或鹵素的1價的有機基團，a為1～3的整數，b為0～2的整數，a與b的總計為1～3。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的倒角部處理劑組合物，其中，

所述甲硅烷基化劑包含具有三烷基甲硅烷基的硅化合物。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的倒角部處理劑組合物，其中，

包含有機溶劑。