[發明專利]剝離膜、陶瓷部件片、剝離膜的制造方法、陶瓷部件片的制造方法以及層疊陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201980076522.0
• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN113165361B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 丑田智樹;真下倍達;山崎勝彥;西澤明憲;飯田修治
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: B32B27/28
• 分類號: B32B27/28;B28B1/30;B32B27/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;陳明霞

本公開提供一種剝離膜，其具有基材和設置于上述基材上的剝離層，上述剝離層是含有具有反應性官能團的有機硅樹脂和其它聚合性成分的組合物的固化物，將通過XPS測定的上述剝離層的與上述基材側相反一側的表面上的硅的峰值強度設為X，將距離上述剝離層的上述表面的深度為4.1nm處的硅的峰值強度設為Y，將形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有機硅樹脂層的情況下測定的硅的峰值強度設為Z時，X大于Y，X相對于Z的比率為40％以上，且Y相對于Z的比率為5～50％。

技術領域

本公開涉及剝離膜、陶瓷部件片、剝離膜的制造方法、陶瓷部件片的制造方法以及層疊陶瓷電容器的制造方法。

背景技術

作為層疊陶瓷電容器的制造方法，已知有包括將形成于剝離膜上的陶瓷生片從剝離膜剝離并與同樣地得到的多個陶瓷生片層疊的制造方法(例如，專利文獻1)。隨著層疊陶瓷電容器的小型化的要求，要求陶瓷生片的薄膜化。伴隨于此，要求用于形成陶瓷生片的剝離膜具有充分降低凹凸的平滑的表面、以及剝離性優異。

作為剝離性優異的剝離膜，例如在專利文獻2中提出了一種剝離膜，其具備基材膜和設置于所述基材膜的一面上的聚合物層，所述聚合物層具有包含(甲基)丙烯酸酯成分的固化物的層、和覆蓋該層的與所述基材膜側為相反側的表面的一部分的包含有機硅聚合物成分的膜，所述有機硅聚合物成分為由(甲基)丙烯?；?或乙烯基改性后的改性硅油的聚合物。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開2003-203822號公報

專利文獻2：日本特開2010-105384號公報

發明內容

本發明想要解決的技術問題

為了應對近年來的層疊陶瓷電容器的進一步小型化，要求形成更加薄膜的陶瓷生片等。為了制造這樣的薄膜化的陶瓷生片，期望進一步提高剝離膜的剝離性。但是，若為了提高剝離性而增加剝離層中的有機硅聚合物成分的含量，則有機硅聚合物成分與其它成分容易發生相分離，例如，有可能難以制備用于設置剝離層的漿料、所制備的漿料難以涂布于基材、以及伴隨著有機硅聚合物的凝聚的缺陷而難以得到具有充分的平滑性的剝離層等的擔憂。

因此，本公開的目的在于提供一種剝離性優異、并且具有充分的平滑性的剝離膜及其制造方法。此外，本公開的目的還在于提供一種具有上述那樣的剝離膜、能夠制造薄膜的生片的陶瓷部件片及其制造方法。本公開的目的還在于提供使用上述那樣的剝離膜的層疊陶瓷電容器的制造方法。

用于解決技術問題的手段

本公開的一個方面提供一種剝離膜，其具有基材和設置于上述基材上的剝離層，上述剝離層是含有具有反應性官能團的有機硅樹脂和其它聚合性成分的組合物的固化物，將通過XPS測定的上述剝離層的與上述基材側相反一側的表面上的硅的峰值強度設為X，將距上述剝離層的上述表面的深度為4.1nm處的硅的峰值強度設為Y，將形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有機硅樹脂層的情況下測定的硅的峰值強度設為Z時，X大于Y，X相對于Z的比率為40％以上，且Y相對于Z的比率為5～50％。

上述剝離膜中，關于通過XPS測定的硅的峰值強度，上述X相對于上述Z的比率為40％以上，且上述Y(距剝離層的表面深度為4.1nm處的硅的峰值強度)小于上述X(剝離層的表面處的峰值強度)。因此，源自具有反應性官能團的有機硅樹脂的樹脂成分在剝離層的表層部分較多，剝離層的表面處的剝離性優異。此外，由于上述Y相對于上述Z(在形成由上述有機硅樹脂構成的層的情況下為硅的峰值強度)為5～50％，因此在距上述剝離層的上述表面的深度為4.1nm處，適度地存在來自其它聚合性成分的樹脂成分，因此來自有機硅樹脂的樹脂成分的凝聚充分減少，剝離層的缺陷等少，且平滑性十分優異。

上述Y相對于上述X的比率也可以為70％以下。