[發明專利]像素、包括像素的顯示裝置及顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201980076164.3 | 申請日: | 2019-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN113056825A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 郭珍午;金性勳;金恩珠 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 楊永良;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 包括 顯示裝置 制造 方法 | ||
根據本發明的實施例的像素包括:第一電極;第二電極,與第一電極間隔開;多個發光元件,布置在第一電極與第二電極之間,并且包括至少一個第一發光元件;第一接觸電極,設置在第一電極上,并且電連接到第一電極和所述多個發光元件中的至少一些發光元件的第一端;第二接觸電極,設置在第二電極上,并且電連接到第二電極和所述多個發光元件中的至少一些發光元件的第二端;以及至少一個第一導電圖案,設置在所述至少一個第一發光元件與第一接觸電極之間,并且被構造為將每個第一發光元件的第一端電連接到第一接觸電極。
技術領域
本公開的各種實施例涉及一種像素、包括像素的顯示裝置以及制造顯示裝置的方法。
背景技術
近來,已經開發了使用具有可靠的無機晶體結構的材料來制造超小型發光元件和使用發光元件來制造發光器件的技術。例如,已經開發了制造具有與從納米級至微米級的范圍對應的小尺寸的多個超小型發光元件和使用超小型發光元件來制造各種發光器件以及像素的技術。
發明內容
技術問題
本公開的各種實施例涉及一種包括多個發光元件的像素、包括像素的顯示裝置以及制造顯示裝置的方法。
技術方案
根據本公開的實施例的像素可以包括:第一電極;第二電極,與第一電極間隔開;多個發光元件,布置在第一電極與第二電極之間,并且包括至少一個第一發光元件;第一接觸電極,設置在第一電極上,并且電連接到第一電極和所述多個發光元件中的至少一些發光元件的第一端;第二接觸電極,設置在第二電極上,并且電連接到第二電極和所述多個發光元件中的至少一些發光元件的第二端;以及至少一個第一導電圖案,設置在所述至少一個第一發光元件與第一接觸電極之間,并且被構造為將每個第一發光元件的第一端電連接到第一接觸電極。
在實施例中,第一發光元件的第一端可以與第一接觸電極間隔開,并且可以經由第一導電圖案電連接到第一接觸電極。
在實施例中,第一發光元件的第二端可以與第二接觸電極疊置,并且可以直接連接到第二接觸電極。
在實施例中,像素還可以包括設置在所述至少一個第一發光元件與第二接觸電極之間的至少一個第二導電圖案。
在實施例中,第一發光元件的第二端可以與第二接觸電極間隔開,并且可以經由第二導電圖案電連接到第二接觸電極。
在實施例中,第一導電圖案可以包括與第一接觸電極的構成材料不同的導電材料。
在實施例中,第一接觸電極可以包括至少一個第一突起,所述至少一個第一突起朝向所述多個發光元件中的至少一個第二發光元件突出,并且與第二發光元件的第一端疊置。
在實施例中,第二發光元件的第二端可以與第二接觸電極疊置,并且可以直接連接到第二接觸電極。
在實施例中,第二接觸電極可以包括至少一個第二突起,所述至少一個第二突起朝向第二發光元件突出,并且與第二發光元件的第二端疊置。
在實施例中,所述多個發光元件可以包括沿第一電極延伸所沿的方向連續布置在第一電極與第二電極之間的多個第二發光元件。第一接觸電極可以包括至少一個第一突起,所述至少一個第一突起具有比所述多個第二發光元件之間的距離大的寬度,并且與所述多個第二發光元件的第一端疊置。
在實施例中,像素可以包括:多個第一發光元件和多個第二發光元件,布置在第一電極與第二電極之間;多個第一導電圖案,設置在所述多個第一發光元件中的每個第一發光元件與第一接觸電極之間,以將所述多個第一發光元件的相應的第一端電連接到第一接觸電極;以及多個第一突起,從第一接觸電極朝向相應的所述多個第二發光元件突出,并且與所述多個第二發光元件的相應的第一端疊置。所述多個第一導電圖案和所述多個第一突起可以規則地或不規則地分散在第一接觸電極的一側上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





