[發明專利]用于測量光刻設備的聚焦性能的方法、圖案形成裝置和設備、以及器件制造方法

在審

• 申請號: 201980076009.1
• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN113168109A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: F·斯塔爾斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/44
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王益

1.一種測量光刻設備的聚焦性能的方法，所述方法包括：

(a)獲得與襯底上的所印制的聚焦量測圖案中的第一周期性陣列的衍射光譜的相反部分之間的所測量的不對稱性相關的測量數據；和

(b)至少部分地基于被包括在測量數據內的所述不對稱性來導出聚焦性能的測量結果，

其中所述第一周期性陣列包括不具有特征的間隔區和具有至少一個第一特征和至少一個第二特征的圖案區的重復布置，所述至少一個第一特征包括從主體突出的子特征；以及其中所述第一特征和第二特征足夠接近以在測量步驟中被測量時被有效地檢測為單個特征。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，每個圖案區內的所述至少一個第一特征和所述至少一個第二特征中的每個第一特征和每個第二特征之間的最大間距為以下的至少一種：

-不大于印制步驟的分辨率極限的兩倍；和

-不大于80nm。

3.根據前述任一權利要求所述的方法，其中，所述每個所述子特征從所述主體不對稱地突出。

4.根據前述任一權利要求所述的方法，其中，每個第二特征位于與所述第一特征中的相應一個第一特征的主體的、所述子特征從所述主體延伸所離開的一側相同的側上。

5.根據前述任一權利要求所述的方法，其中，每個圖案區的最外側的第二特征具有有效厚度，所述有效厚度是第一特征與第二特征之間的間距和/或所述第一特征的所述主體的厚度的至少兩倍；并且

其中，可選地，所述最外側的第二特征包括以下中的任一項：

單線特征，所述單線特征具有作為第一特征與第二特征之間的間距和/或所述第一特征的所述主體的厚度的至少1.5倍的厚度，

包括兩個相鄰線的雙線特征，或

包括兩個相鄰線的雙線特征，其中最外側的線具有第一特征與第二特征之間的間距和/或所述第一特征的所述主體的寬度的至少1.5倍的寬度。

6.根據前述任一權利要求所述的方法，其中，滿足以下中的至少一項：

-每個第二特征包括線；

-每個圖案區包括所述第一特征和第二特征的至少一次重復；

-每個第一特征和第二特征的最小尺寸接近于但不小于印制步驟的分辨率極限；和

-在周期性方向上，所述間隔區的寬度與所述圖案區的寬度的最大比率與最小比率之間的比率小于3:1或小于2:1、或小于3:2。

7.根據前述任一權利要求所述的方法，其中所印制的聚焦量測圖案至少包括特征的第一周期性陣列和第二周期性陣列，特征的每個周期性陣列具有如前述權利要求所指定的形式，其中在每個周期性陣列內存在被編程的不對稱性，所述第二周期性陣列的不對稱性與所述第一周期性陣列的不對稱性是相反的，并且其中所測量的數據內的所述不對稱性包括所述第一周期性陣列和第二周期性陣列中的每個周期性陣列的不對稱性，并且步驟(b)通過將與所述周期性陣列相對應的不對稱性進行組合來確定聚焦性能的所述測量；以及

其中，可選地，所述子特征布置成使得每個第二特征關于所述周期性方向是不對稱的，并且其中特征的所述第二周期性陣列中的每個第二特征的不對稱性與特征的所述第一周期性陣列中的每個第二特征的不對稱性是相反的。

8.根據前述任一權利要求所述的方法，其中，步驟(a)中的測量是使用具有作為所述第一特征和/或第二特征的所述最小尺寸的至少兩倍長的波長的輻射來執行的。

9.根據前述任一權利要求所述的方法，包括使用檢查輻射來測量所印制的聚焦量測圖案中的所述第一周期性陣列的衍射光譜的相反部分之間的所述不對稱性。