[發(fā)明專利]具有晶種區(qū)域的磁阻堆疊及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980075580.1
• 申請(qǐng)日: 2019-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN113039658A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫吉軍;S·阿加瓦爾;H-J·查;J·M·斯勞特;R·韋格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾沃思賓技術(shù)公司
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種磁阻堆疊，包括：

晶種區(qū)域，其至少部分地布置在導(dǎo)電材料上，其中晶種區(qū)域包括合金層，該合金層包括原子百分比至少99％的鎳和鉻；

固定磁性區(qū)域，其布置在晶種區(qū)域上方，其中固定磁性區(qū)域包括合成反鐵磁結(jié)構(gòu)，該合成反鐵磁結(jié)構(gòu)包括：

第一鐵磁區(qū)域，其布置在晶種區(qū)域上并與之接觸；

耦合層，其布置在第一鐵磁區(qū)域上并與之接觸；以及

第二鐵磁區(qū)域，其布置在耦合層上并與耦合層接觸；

除塵層，其布置在晶種區(qū)域與固定磁性區(qū)域之間，其中該除塵層具有至的厚度；

一個(gè)或多個(gè)介電層，其布置在第二鐵磁區(qū)域上并與之接觸；以及

自由磁性區(qū)域，其布置在所述一個(gè)或多個(gè)介電層上。

2.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中合金層包括原子百分比至少30％的鉻(Cr)。

3.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域還包括至少一個(gè)輔助層。

4.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中合金層與導(dǎo)電材料接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域還包括與導(dǎo)電材料接觸的至少一個(gè)輔助層。

6.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域還包括至少一個(gè)與導(dǎo)電材料接觸的輔助層，并且其中輔助層具有與導(dǎo)電材料的組成相同的組成。

7.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域還包括至少一個(gè)輔助層，并且其中合金層與固定磁性區(qū)域接觸。

8.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域還包括與固定磁性區(qū)域接觸的至少一個(gè)輔助層。

9.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中除塵層包括鉬、鎂、鐵、鉑、釕或包括鈷和鐵的合金中的至少一種。

10.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域包括：

與導(dǎo)電材料接觸的包括鎳和鉻的第一合金層；

與固定磁性區(qū)域接觸的包括鎳和鉻的第二合金層；以及

至少一個(gè)輔助層，其布置在第一合金層與第二合金層之間。

11.如權(quán)利要求1所述的磁阻堆疊，其中合金層具有至的厚度。

12.一種磁阻堆疊，包括：

晶種區(qū)域，其至少部分地布置在導(dǎo)電材料上，其中晶種區(qū)域包括鎳或鉻中的至少一種；

除塵層，其布置在晶種區(qū)域上，其中除塵層包括鉬、鎂、鐵、鉑、釕或包括鈷和鐵的合金中的至少一種；

固定磁性區(qū)域，其布置在除塵層上并與之接觸，其中固定磁性區(qū)域包括：

第一鐵磁區(qū)域，其布置在除塵層上并與之接觸；

耦合層，其布置在第一鐵磁區(qū)域上并與之接觸；以及

第二鐵磁區(qū)域，其布置在耦合層上并與之接觸；

一個(gè)或多個(gè)介電層，其布置在第二鐵磁區(qū)域上并與之接觸；以及

自由磁性區(qū)域，其布置在所述一個(gè)或多個(gè)介電層上。

13.如權(quán)利要求12所述的磁阻堆疊，其中合金還包括硼。

14.如權(quán)利要求12所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域具有大于或等于的厚度。

15.如權(quán)利要求12所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域包括合金層，該合金層包括鎳和原子百分比至少30％的鉻。

16.如權(quán)利要求12所述的磁阻堆疊，其中晶種區(qū)域包括合金層，該合金層包括原子百分比至少99％的鎳和鉻。

17.如權(quán)利要求12所述的磁阻堆疊，其中除塵層具有至的厚度。