[發(fā)明專利]錫基熱電轉(zhuǎn)換元件以及錫基熱電轉(zhuǎn)換模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980074811.7
• 申請(qǐng)日: 2019-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN113016082A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 坂本達(dá)也;田口豊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社安永
• 主分類號(hào): H01L35/08
• 分類號(hào): H01L35/08;H01L35/14;H02N11/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，具備：

熱電轉(zhuǎn)換部，含有具有由通式：Mg₂Si_1-xSn_x表示的組成的錫基化合物，其中，式中x滿足0.5＜x＜1的關(guān)系；以及

防擴(kuò)散層，位于所述熱電轉(zhuǎn)換部的表面，

其中，所述防擴(kuò)散層包括Mo層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，其中，

所述防擴(kuò)散層還包括：

第一緊貼層，配設(shè)于所述Mo層與所述熱電轉(zhuǎn)換部之間；以及

第二緊貼層，配設(shè)于隔著所述Mo層與所述第一緊貼層相反側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，其中，

所述第一緊貼層和所述第二緊貼層包括Ti層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，其中，

所述熱電轉(zhuǎn)換部的表面粗糙度為Rz為0.1μm以上3μm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，還具備：

防氧化層，配設(shè)于隔著所述防擴(kuò)散層與所述熱電轉(zhuǎn)換部相反側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，其中，

所述防氧化層包括Au層、Ag層以及Cu層中的至少一種金屬層。

7.一種錫基熱電轉(zhuǎn)換模塊，具備：

熱電轉(zhuǎn)換元件；以及

電極材料，經(jīng)由接合材料與所述熱電轉(zhuǎn)換元件接合，

其中，所述熱電轉(zhuǎn)換元件為權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件，

所述接合材料包括不具有流動(dòng)性的非流動(dòng)性接合材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換模塊，其中，

所述非流動(dòng)性接合材料包括Ni的鍍層和Au的鍍層中的至少一方。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換模塊，其中，

所述非流動(dòng)性接合材料包括Ag制的箔。

10.一種錫基熱電轉(zhuǎn)換模塊，具備：

熱電轉(zhuǎn)換元件；以及

電極材料，不經(jīng)由接合材料而與所述熱電轉(zhuǎn)換元件直接接合，

其中，所述熱電轉(zhuǎn)換元件為權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的錫基熱電轉(zhuǎn)換元件。