[發明專利]腦類器官的制造方法

在審

• 申請號: 201980073911.8
• 申請日: 2019-10-10
• 公開（公告）號: CN112996906A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 平峯勇人;石川充;岡野栄之
• 申請（專利權）人: JSR株式會社;學校法人慶應義塾
• 主分類號: C12N5/079
• 分類號: C12N5/079;A61K35/30;A61P25/00;C12Q1/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

一種腦類器官的制造方法，包括：將神經外胚層標記陽性的細胞聚集體在包含濃度超過10體積％的細胞外基質的培養基中培養的工序。

技術領域

本發明涉及一種腦類器官(Brain Organoids)的制造方法。更詳細而言，本發明涉及一種腦類器官的制造方法、腦類器官、被驗物質的藥效評價用試劑盒、被驗物質的藥效評價方法、由神經系統細胞或神經組織的障礙所致的疾病的治療藥及由神經系統細胞或神經組織的障礙所致的疾病的治療用醫藥組合物。本申請基于2018年11月15日在日本提出申請的日本專利特愿2018-214930號而主張優先權，將其內容引用至本申請中。

背景技術

哺乳類的大腦皮質具有多層結構(I-VI層)，其是從胎兒的大腦皮質形成期起慢慢形成。大腦皮質由背側端腦(大腦皮層)的神經上皮生出，在慢慢外展的同時在兩側形成半球狀的腦胞。大腦皮質的背尾側與皮質緣鄰接，另一方面，腹吻側介隔原皮質而與外側神經節隆起(LGE(Lateral Ganglionic Eminence)、紋狀體原基)或隔膜鄰接。在成體的大腦皮質的多層結構中存在最表層的I層(胎生時期的原基被稱為邊緣區)，所述最表層的I層的大部分來源于皮質緣或隔膜等相鄰接的組織且主要由顫蛋白(Reelin)陽性的卡扎爾-雷丘斯(Cajal-Retzius)細胞形成(在人的大腦皮質的情況下，顫蛋白陽性細胞的一部分也可直接由大腦皮質神經上皮生出)。其余的皮質板的層具有時間及空間上有規律地生出神經細胞并加以配置的特征性模式。其被稱為由內向外(inside-out)模式，更深的層的神經細胞更早地由神經前體細胞生出。

與可獲得大量信息的小鼠的大腦皮質的產生不同，由于人胎兒的腦組織的利用有限，因此無法詳細理解人的大腦皮質的產生。迄今為止，建立使用小鼠及人的胚胎干細胞(ES細胞：Embryonic stem cell)的三維培養法(無血清懸浮培養快速再聚集擬胚體樣細胞聚集體(serum-free floating culture of embryoid body-like aggregates withquick reaggregation，SFEBq)法)，示出所述聚集體再現大腦皮質的產生的初始過程。報告有所述方法也可適應人誘導多能干細胞(iPS細胞：induced pluripotent stem cell)(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2015/076388號

發明內容

發明所要解決的問題

本發明的目的在于提供一種端腦標記陽性的腦類器官的制造方法。

解決問題的技術手段

本發明包含以下的實施方式。

[1]一種腦類器官的制造方法，包括：將神經外胚層標記陽性的細胞聚集體在包含濃度超過10體積％的細胞外基質的培養基中培養的工序。

[2]根據[1]所述的腦類器官的制造方法，其中，所述培養基中的所述細胞外基質的濃度為20體積％～50體積％。

[3]根據[1]或[2]所述的腦類器官的制造方法，其中，所述培養基還包含Wnt信號增強物質。

[4]根據[1]至[3]中任一項所述的腦類器官的制造方法，其中，所述培養基還包含轉化生長因子β家族信號轉導途徑抑制物質。

[5]根據[1]至[4]中任一項所述的腦類器官的制造方法，其中，所述工序是將神經外胚層標記陽性的細胞聚集體以不插入至細胞外基質中而分散于包含濃度超過10體積％的細胞外基質的培養基中的狀態培養的工序。

[6]根據[1]至[5]中任一項所述的腦類器官的制造方法，其中，在所述工序之后還包括在實質上不含細胞外基質的培養基中培養的工序。