[發明專利]交換耦合膜、和利用其的磁阻效應元件以及磁檢測裝置在審
| 申請號: | 201980073704.2 | 申請日: | 2019-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN113016086A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 齋藤正路;小池文人 | 申請(專利權)人: | 阿爾卑斯阿爾派株式會社 |
| 主分類號: | H01L43/08 | 分類號: | H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉文海 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 交換 耦合 利用 磁阻 效應 元件 以及 檢測 裝置 | ||
1.一種交換耦合膜,其特征在于,
層疊有反鐵磁性層和鐵磁性層,
所述反鐵磁性層具有IrMn層、第1PtMn層、PtCr層以及第2PtMn層按該順序層疊成使得所述IrMn層臨近所述鐵磁性層的構造。
2.根據權利要求1所述的交換耦合膜,其中,
具有在所述IrMn層與所述鐵磁性層之間還層疊有PtMn層的構造。
3.一種交換耦合膜,其特征在于,
層疊有反鐵磁性層和鐵磁性層,
所述反鐵磁性層具有第1PtMn層、PtCr層以及第2PtMn層按該順序層疊成所述第1PtMn層臨近所述鐵磁性層且所述PtCr層的厚度比所述第1PtMn層的厚度以及所述第2PtMn層的厚度中的任一個厚的構造。
4.根據權利要求3所述的交換耦合膜,其中,
所述反鐵磁性層在所述第1PtMn層與所述鐵磁性層之間具有Mn的含量超過50原子%的含Mn層。
5.根據權利要求4所述的交換耦合膜,其中,
所述含Mn層層疊有多個層。
6.根據權利要求4或者權利要求5所述的交換耦合膜,其中,
所述含Mn層包含選自由IrMn層以及Mn層構成的組中的至少1層。
7.根據權利要求4~權利要求6中的任一項所述的交換耦合膜,其中,
所述含Mn層的厚度為以下。
8.根據權利要求1~權利要求7中的任一項所述的交換耦合膜,其中,
所述第2PtMn層的厚度為大于且小于
9.根據權利要求1~權利要求7中的任一項所述的交換耦合膜,其中,
所述第2PtMn層的厚度為以上且以下。
10.根據權利要求1~權利要求7中的任一項所述的交換耦合膜,其中,
所述PtCr層的厚度為以上。
11.根據權利要求1~權利要求10中的任一項所述的交換耦合膜,其中,
所述反鐵磁性層的整體的厚度為以下。
12.一種磁阻效應元件,其特征在于,
層疊有權利要求1~權利要求11中的任一項所述的交換耦合膜和自由磁性層,所述交換耦合膜的鐵磁性層構成固定磁性層的至少一部分。
13.一種磁檢測裝置,其特征在于,
具備權利要求12所述的磁阻效應元件。
14.根據權利要求13所述的磁檢測裝置,其中,
在相同基板上具備多個權利要求12所述的磁阻效應元件,
在多個所述磁阻效應元件中包含所述固定磁性層的固定磁化方向不同的磁阻效應元件。
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