[發(fā)明專利]用于防止產(chǎn)生過量泄漏電流的照明設(shè)備以及對應方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980073426.0 | 申請日： | 2019-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN113196884A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陶海敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 昕諾飛控股有限公司 |
| 主分類號： | H05B45/40 | 分類號： | H05B45/40;H05B45/30;H05B45/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 鄭振 |
| 地址： | 荷蘭艾恩*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 防止 產(chǎn)生 過量 泄漏 電流 照明設(shè)備 以及 對應 方法 | ||
1.一種基于雙端改型發(fā)光二極管LED的照明設(shè)備，用于防止安裝所述照明設(shè)備期間產(chǎn)生過量泄漏電流，所述照明設(shè)備包括：
-LED負載，被布置為用于發(fā)射光；
-LED驅(qū)動器，被布置為用于接收至少兩個端子之間的交流AC市電電壓，并且用于通過向所述LED負載提供LED輸出電流和向所述LED負載提供直流DC電壓來驅(qū)動所述LED負載；
-欠壓保護電路，被布置為用于測量經(jīng)整流市電電壓，并且用于當測量的所述電壓低于預先確定的閾值時，在所述至少兩個端子之間提供高歐姆返回路徑，以確保所述改型LED照明設(shè)備不會發(fā)生不安全情形，
其中所述LED驅(qū)動器被布置為當所述電源電壓介于上限與下限之間時，向所述LED負載提供恒定LED輸出電流，其中用于所述欠壓保護電路的所述預先確定的閾值低于所述下限。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其中較低的所述預先確定的閾值比所述上限低20％。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的照明設(shè)備，其中所述基于改型LED的照明設(shè)備還包括開關(guān)，其中所述開關(guān)被連接為使得當所述開關(guān)處于導通狀態(tài)時，在所述至少兩個端子之間建立返回路徑；并且使得當所述開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時，在所述至少兩個端子之間中斷返回路徑，其中所述欠壓保護電路被布置為用于當測量的所述電壓低于所述預先確定的閾值時，將所述開關(guān)切換到所述關(guān)斷狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的照明設(shè)備，其中所述開關(guān)為金屬氧化物半導體MOS場效應晶體管FET。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的照明設(shè)備，其中所述照明設(shè)備包括四個端子，所述四個端子用于接收所述AC市電電壓，其中所述四個端子中的兩個端子被設(shè)置在所述照明設(shè)備的第一端面處，并且其中所述四個端子中的另外兩個端子被設(shè)置在所述照明設(shè)備的第二端面處，所述第二端面與所述第一端面相對。
6.一種在安裝根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基于雙端改型發(fā)光二極管LED的照明設(shè)備期間防止產(chǎn)生泄漏電流的方法，其中所述方法包括以下步驟：
-通過欠壓檢測元件測量所述DC電壓；
-通過所述欠壓檢測元件確定測量的所述DC電壓低于預先確定的閾值；
-通過所述欠壓檢測元件在所述至少兩個端子之間提供高歐姆路徑，以防止所述泄漏電流并且確保所述改型LED照明設(shè)備不會發(fā)生不安全情形；
-當所述電源電壓介于上限與下限之間時，向所述LED負載提供恒定LED輸出電流，其中用于所述欠壓保護電路的所述預先確定的閾值低于所述下限。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述LED驅(qū)動器被布置為當所述電源電壓介于上限與下限之間時，向所述LED負載提供恒定LED輸出電流，其中用于所述欠壓保護電路的所述預先確定的閾值低于所述下限。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中較低的所述預先確定的閾值比所述下限低20％。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的方法，其中所述基于改型LED的照明設(shè)備還包括開關(guān)，其中所述開關(guān)被連接為使得當所述開關(guān)處于導通狀態(tài)時，在所述至少兩個端子之間建立返回路徑；并且使得當所述開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時，在所述至少兩個端子之間中斷返回路徑，其中所述提供步驟還包括：
-當測量的所述電壓低于所述預先確定的閾值時，通過將所述開關(guān)切換到所述關(guān)斷狀態(tài)，通過所述欠壓保護電路來提供高歐姆路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述開關(guān)為金屬氧化物半導體MOS場效應晶體管FET。
11.根據(jù)權(quán)利要求9至10中任一項所述的方法，其中所述開關(guān)是與用于驅(qū)動所述LED負載的所述LED驅(qū)動器所包括的開關(guān)相同的開關(guān)。
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