[發明專利]發光元件在審
| 申請號: | 201980072422.0 | 申請日: | 2019-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN112970120A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 蔡鐘炫;申讚燮;李剡劤;李豪埈;張成逵 | 申請(專利權)人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;姜長星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件,其特征在于,包括:
第一發光部,具有第一面積;
第二發光部,具有第二面積;以及
第三發光部,具有第三面積,
所述第一發光部與所述第二發光部位于相同平面,
所述第三發光部橫跨所述第一發光部和所述第二發光部而布置,
所述第三面積大于所述第一面積和所述第二面積中的每一個。
2.如權利要求1所述的發光元件,其特征在于,
所述第一發光部包括第1-1導電型半導體層以及布置在所述第1-1導電型半導體層上的包含第一活性層和第2-1導電型半導體層的第一半導體結構物,
所述第二發光部包括所述第1-1導電型半導體層以及在所述第1-1導電型半導體層上以與所述第一半導體結構物相隔的方式布置且包含第二活性層和第2-2導電型半導體層的第二半導體結構物,
所述第三發光部與所述第一發光部及所述第二發光部相隔布置,并且包括第1-3導電型半導體層、第三活性層以及第2-3導電型半導體層。
3.如權利要求2所述的發光元件,其特征在于,還包括:
第一墊,與所述第2-1導電型半導體層電連接;
第二墊,與所述第2-2導電型半導體層電連接;
第三墊,與所述第2-3導電型半導體層電連接;以及
公共墊,將所述第1-1導電型半導體層和所述第1-3導電型半導體層共同電連接。
4.如權利要求3所述的發光元件,其特征在于,包括:
第一貫通電極,將所述第2-1導電型半導體層和所述第一墊之間電連接;
第二貫通電極,將所述第2-2導電型半導體層和所述第二墊之間電連接;
第三貫通電極,將所述第2-3導電型半導體層和所述第三墊之間電連接;
第四貫通電極,將暴露在所述第一半導體結構物與第二半導體結構物之間的所述第1-1導電型半導體層和所述公共墊電連接;以及
第五貫通電極,將所述第1-3導電型半導體層與所述公共墊電連接。
5.如權利要求3所述的發光元件,其特征在于,包括:
第一貫通電極,將所述第2-1導電型半導體層和所述第一墊之間電連接;
第二貫通電極,將所述第2-2導電型半導體層和所述第二墊之間電連接;
第三貫通電極,將所述第2-3導電型半導體層和所述第三墊之間電連接;以及
第四貫通電極,將所述第1-1導電型半導體層及所述第1-3導電型半導體層與所述公共墊電連接,
所述第四貫通電極貫通所述第1-3導電型半導體層,并且與暴露在所述第一半導體結構物和所述第二半導體結構物之間的所述第1-1導電型半導體層電連接。
6.如權利要求5所述的發光元件,其特征在于,還包括:
粘結部,填充所述第一發光部及所述第二發光部與第三發光部之間以及所述第一半導體結構物與所述第二半導體結構物之間,并且粘結所述第一發光部和所述第二發光部以及所述第三發光部。
7.如權利要求6所述的發光元件,其特征在于,還包括:
絕緣膜,圍繞所述第一貫通電極至所述第四貫通電極的外側壁,
所述第四貫通電極貫通所述第三發光部和所述粘結部,所述第四貫通電極的一面與暴露在所述第一半導體結構物和所述第二半導體結構物之間的第1-1導電型半導體層接觸,并且所述第四貫通電極的另一面與所述公共墊接觸,
所述公共墊與所述第1-3導電型半導體層電接觸。
8.如權利要求6所述的發光元件,其特征在于,
所述第三發光部包括暴露所述第1-3導電型半導體層的孔,
所述孔在與暴露在所述第一半導體結構物與所述第二半導體結構物之間的第1-1導電型半導體層對應的位置具有小于暴露在所述第一半導體結構物與所述第二半導體結構物之間的第1-1導電型半導體層的寬度的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





