[發明專利]存儲控制裝置、存儲裝置和信息處理系統

在審

• 申請號: 201980072334.0
• 申請日: 2019-09-02
• 公開（公告）號: CN112970064A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 萬行厚雄
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C7/14
• 分類號: G11C7/14;G11C11/16
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩

存儲裝置中的參照單元的狀態被正確地管理。第一存儲器單元陣列包括生成感測放大器的參照電位的第一參照單元。第二存儲器單元陣列包括生成感測放大器的參照電位的第二參照單元。狀態存儲部存儲關于第一參照單元和第二參照單元中的每一個的指示保持值的確定性的狀態。當被指示對第一參照單元或第二參照單元的寫入時，寫入控制部基于存儲在狀態存儲部中的關于第一參照單元和第二參照單元的狀態來控制所指示的寫入。

技術領域

本技術涉及存儲裝置。更具體地，本技術涉及設置有參照單元的存儲裝置、其存儲控制裝置以及信息處理系統。

背景技術

已知一種當執行從存儲裝置中的存儲器單元的讀取時使用保持基準閾值的參照單元來確定存儲器單元的存儲狀態的方法。例如，在使用磁性隧道結(MTJ)元件的存儲裝置中，通過由參照電位生成電路生成與邏輯電平“0”和“1”相對應地生成的電位的中間電位，將多個參照單元的值供應給感測放大器的一個輸入。在此，由于環境溫度引起的熱波動，該MTJ元件具有隨機超過閾值的特性，并且這被稱為保持性。此外，形成MTJ元件的絕緣層具有薄膜厚度，并且存在介電擊穿的失效模式，這被稱為耐久性。在由于這種保持性和耐久性的影響而導致參照單元的數據值與預期不符的情況下，可能會從感測放大器輸出不正確的值。因此，例如，提出了一種半導體裝置，該半導體裝置對參照單元被訪問的次數進行計數，并且在達到指定的次數時檢查參照單元的狀態是否落入預定的分布范圍內(例如，參見專利文獻1)。

引文列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請特許公開No.2004-185745

發明內容

本發明要解決的問題

在上述傳統技術中，當參照單元被訪問的次數達到指定的次數時，如果參照單元的狀態未落入預定的分布范圍內，則對值進行校正。然而，在這種情況下，由于僅將訪問的次數用作基準，因此不能處理諸如保持性之類的時間依賴的數據保持特性。因此，存在無法適當地管理參照單元的狀態的可能性。

鑒于這種情況已經實現了本技術，并且其目的是適當地管理存儲裝置中的參照單元的狀態。

問題的解決方案

為了解決上述問題而實現了本技術，并且其第一方面是存儲控制裝置、存儲裝置和信息處理系統，它們設置有：狀態存儲部，該狀態存儲部存儲關于被包括在第一存儲器單元陣列中而生成感測放大器的參照電位的第一參照單元和被包括在第二存儲器單元陣列中而生成感測放大器的參照電位的第二參照單元中的每一個的指示保持值的確定性的狀態；以及寫入控制部，當被指示對第一參照單元和第二參照單元中的任一個的寫入時，該寫入控制部基于存儲在狀態存儲部中的關于第一參照單元和第二參照單元的狀態來控制所指示的寫入。這帶來了基于指示保持在第一參照單元和第二參照單元中的值的確定性的狀態來控制對第一參照單元和第二參照單元的寫入的效果。

此外，在第一方面中，寫入控制部可以將分別包括第一參照單元和第二參照單元的第一參照單元組和第二參照單元組作為單位執行寫入，以及狀態存儲部可以針對第一參照單元組和第二參照單元組中的每一個存儲狀態。這帶來了針對第一參照單元組和第二參照單元組中的每一個控制寫入的效果。

此外，在第一方面中，當對第一參照單元和第二參照單元中的任一個執行寫入時，狀態存儲部可以更新關于已被執行該寫入的參照單元的狀態。這帶來了根據對第一參照單元和第二參照單元的寫入來更新狀態的效果。

此外，在第一方面中，當對第一參照單元和第二參照單元中的任一個執行寫入時，狀態存儲部可以根據從該寫入起流逝的時間來更新關于該參照單元的狀態。這帶來了根據從對第一參照單元和第二參照單元的寫入起流逝的時間來更新狀態的效果。

此外，在第一方面中，可以進一步設置管理從寫入起流逝的時間的定時器電路。這帶來了更新由來自定時器電路的通知觸發的狀態的效果。