[發明專利]面內磁化膜、面內磁化膜多層結構、硬偏置層、磁阻效應元件和濺射靶有效
| 申請號： | 201980071989.6 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN113228208B | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發明（設計）人： | 譚金光;櫛引了輔;青野雅廣;渡邊恭伸 | 申請（專利權）人： | 田中貴金屬工業株式會社 |
| 主分類號： | H01F10/16 | 分類號： | H01F10/16;H01F41/18;H10N50/10 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龍河 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁化 多層 結構 偏置 磁阻 效應 元件 濺射 | ||
1.一種面內磁化膜，其是作為磁阻效應元件的硬偏置層使用的面內磁化膜，其特征在于，
含有金屬Co、金屬Pt和氧化物，
相對于該面內磁化膜的金屬成分的合計，含有55原子％以上且小于95原子％的金屬Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金屬Pt，
相對于該面內磁化膜的整體，含有10體積％以上且42體積％以下的所述氧化物，
所述面內磁化膜的厚度為20nm以上且80nm以下，
所述面內磁化膜的矯頑力為2.00kOe以上且每單位面積的剩磁為2.00memu/cm2以上。
2.如權利要求1所述的面內磁化膜，其特征在于，具有由CoPt合金晶粒和所述氧化物的晶界構成的顆粒結構。
3.如權利要求1或2所述的面內磁化膜，其特征在于，所述氧化物包含Ti、Si、W、B、Mo、Ta、Nb的氧化物中的至少一種。
4.一種面內磁化膜多層結構，其是作為磁阻效應元件的硬偏置層使用的面內磁化膜多層結構，其特征在于，
具有兩個以上面內磁化膜和非磁性中間層，
所述非磁性中間層配置在所述面內磁化膜彼此之間，并且，夾著所述非磁性中間層相鄰的所述面內磁化膜彼此進行了鐵磁性耦合，
所述面內磁化膜含有金屬Co、金屬Pt和氧化物，相對于該面內磁化膜的金屬成分的合計，含有55原子％以上且小于95原子％的金屬Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金屬Pt，相對于該面內磁化膜的整體，含有10體積％以上且42體積％以下的所述氧化物，
所述面內磁化膜多層結構的矯頑力為2.00kOe以上且每單位面積的剩磁為2.00memu/cm2以上。
5.如權利要求4所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述非磁性中間層由Ru或Ru合金構成。
6.如權利要求4所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述面內磁化膜具有由CoPt合金晶粒和所述氧化物的晶界構成的顆粒結構。
7.如權利要求4所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述氧化物包含Ti、Si、W、B、Mo、Ta、Nb的氧化物中的至少一種。
8.如權利要求4～7中任一項所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述面內磁化膜的每1層的厚度為5nm以上且30nm以下。
9.一種面內磁化膜多層結構，其是作為磁阻效應元件的硬偏置層的面內磁化膜多層結構，其特征在于，
具有兩個以上面內磁化膜和晶體結構為六方最密堆積結構的非磁性中間層，
所述非磁性中間層配置在所述面內磁化膜彼此之間，并且，夾著所述非磁性中間層相鄰的所述面內磁化膜彼此進行了鐵磁性耦合，
所述面內磁化膜含有金屬Co、金屬Pt和氧化物，相對于該面內磁化膜的金屬成分的合計，含有55原子％以上且小于95原子％的金屬Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金屬Pt，相對于該面內磁化膜的整體，含有10體積％以上且42體積％以下的所述氧化物，
所述兩個以上面內磁化膜的合計厚度為20nm以上。
10.如權利要求9所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述非磁性中間層由Ru或Ru合金構成。
11.如權利要求9所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述面內磁化膜具有由CoPt合金晶粒和所述氧化物的晶界構成的顆粒結構。
12.如權利要求9所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述氧化物包含Ti、Si、W、B、Mo、Ta、Nb的氧化物中的至少一種。
13.如權利要求9～12中任一項所述的面內磁化膜多層結構，其特征在于，所述面內磁化膜的每1層的厚度為5nm以上且30nm以下。
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