[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)換速率限制器系統(tǒng)、器件和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980071605.0 | 申請日: | 2019-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN112955847A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 大衛(wèi)·齊姆利希;亞瑟·S·莫里斯三世 | 申請(專利權(quán))人: | 維斯普瑞公司 |
| 主分類號: | G05F1/59 | 分類號: | G05F1/59;G05F1/575 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 譚營營;胡彬 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)換 速率 限制器 系統(tǒng) 器件 方法 | ||
1.一種用于電子器件的驅(qū)動器,所述驅(qū)動器包括:
第一電路節(jié)點;
第一控制電路;以及
一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制場效應(yīng)晶體管(FET),連接在所述第一電路節(jié)點和待驅(qū)動的所述電子器件的節(jié)點之間,其中所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET的柵極連接到所述第一控制電路,
其中所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET和所述第一控制電路被配置為設(shè)置對所述電子器件進(jìn)行充電或放電的速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動器,其中所述第一控制電路包括:
一個或多個二極管連接的FET,其中所述一個或多個二極管連接的FET中的每一個二極管連接的FET的柵極連接到所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET中的相對應(yīng)的一個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET的柵極;
其中所述一個或多個二極管連接的FET中的一個二極管連接的FET的源極連接到所述第一電路節(jié)點;
其中所述一個或多個二極管連接的FET中的一個二極管連接的FET的漏極與所述一個或多個二極管連接的FET中的所述一個二極管連接的FET的柵極共用;
其中所述第一控制電路是電流源電路的一部分;以及
其中所述電流源電路中的電流被鏡像以在所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET中設(shè)置成比例的電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器,其中所述電流源電路包括:
分壓器,連接在所述第一電路節(jié)點和第二電路節(jié)點之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動器,其中所述驅(qū)動器還包括連接在所述第一電路節(jié)點和所述第二電路節(jié)點之間的電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動器,其中所述分壓器與所述電源通信,并且被配置為提供用于控制所述電源的反饋電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動器,其中所述電源包括電荷泵;
其中所述電荷泵被配置為被驅(qū)動直到所述反饋電壓超過參考反饋電壓為止;以及
其中所述電荷泵被配置成使得當(dāng)所述反饋電壓超過所述參考反饋電壓時所述電荷泵不被驅(qū)動;
所述驅(qū)動器還包括連接在所述分壓器和所述電荷泵之間的比較器,所述比較器包括一個或多個處理器或其他合適的電路系統(tǒng),所述比較器被配置為:
將所述反饋電壓與所述參考反饋電壓進(jìn)行比較;以及
基于將所述反饋電壓與所述參考反饋電壓比較的結(jié)果來控制所述電荷泵。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動器,其中所述分壓器選自由一個或多個二極管、一個或多個二極管連接的場效應(yīng)晶體管(FET)、一個或多個電阻器、一個或多個電容器及它們的組合組成的組。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器,其中所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET中的每一個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET具有分別相對于所述一個或多個二極管連接的FET中的相對應(yīng)的一個二極管連接的FET的柵極寬度和柵極長度而被選擇的柵極寬度和柵極長度,以設(shè)置所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET的電流鏡像比;并且
其中流過所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET的第一電流根據(jù)所述電流鏡像比與流過所述一個或多個二極管連接的FET中的相對應(yīng)的一個二極管連接的FET的第二電流成比例。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動器,其中待驅(qū)動的所述電子器件包括微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)致動器;并且
其中所述電流鏡像比被選擇為確保MEMS致動器電容隨時間變化的速率低于指定限值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動器,其中所述電流鏡像比被選擇為確保所連接的MEMS致動器從“斷開”狀態(tài)移動到“閉合”狀態(tài)或從“閉合”狀態(tài)移動到“斷開”狀態(tài)所需的時間小于指定的最大切換時間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動器,其中所述一個或多個第一轉(zhuǎn)換速率限制FET包括以串聯(lián)布置的方式被布置在所述第一電路節(jié)點或第二電路節(jié)點與待驅(qū)動的所述電子器件之間的兩個FET。
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