[發(fā)明專利]側(cè)存儲艙、電子裝置處理系統(tǒng)及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980070776.1 | 申請日: | 2019-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112970098A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 保羅·B·路透;迪安·C·赫魯澤克 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲 電子 裝置 處理 系統(tǒng) 及其 操作方法 | ||
描述了包括具有至少一個側(cè)存儲艙的設(shè)備前端模塊的電子裝置處理系統(tǒng)。側(cè)存儲艙具有腔室,腔室包括頂基板保持器和底基板保持器。在一些實施方式中,排氣口位于頂基板保持器和底基板保持器之間的中點。還公開了根據(jù)這些和其他實施方式的方法和系統(tǒng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及電子裝置制造,并且更具體地涉及電子裝置處理系統(tǒng)、側(cè)存儲艙、以及其操作方法。
背景技術(shù)
電子裝置制造系統(tǒng)可包括多個處理腔室,所述多個處理腔室被配置以在基板上實行各種處理。在處理期間將基板暴露于某些環(huán)境條件下可能會使基板降級(degrade)。例如,在基板的處理期間暴露于濕氣會降級或破壞在基板上制造的部件。
因此,需要在處理期間用于控制基板的環(huán)境條件的改善的系統(tǒng)、設(shè)備和方法。
發(fā)明內(nèi)容
在第一方面中,提供了一種側(cè)存儲艙。側(cè)存儲艙包括第一腔室,第一腔室具有第一腔室開口,第一腔室開口被配置為位于與電子前端模塊(EFEM)的壁相鄰;和第一存儲容器,第一存儲容器被容納在第一腔室中。第一存儲容器包括:第一存儲容器開口,第一存儲容器開口位于與第一腔室開口相鄰;第一存儲容器腔室,第一存儲容器腔室與第一存儲容器開口流體耦接;多個基板保持器,多個基板保持器位于第一存儲容器腔室中,多個基板保持器在頂基板保持器和底基板保持器之間延伸;第一排氣氣室,第一排氣氣室與第一存儲容器開口相對地耦接至第一存儲容器腔室,其中多個基板保持器位于第一存儲容器開口和第一排氣氣室之間;和第一排氣口,第一排氣口具有中心,中心位于第一排氣氣室上于頂基板保持器和底基板保持器之間的中點的25%內(nèi)。
在另一方面中,提供了一種電子裝置處理系統(tǒng)。電子裝置處理系統(tǒng)包括:設(shè)備前端模塊(EFEM),設(shè)備前端模塊具有壁,該壁包括EFEM開口;側(cè)存儲艙,側(cè)存儲艙包括第一腔室,第一腔室具有第一腔室開口,第一腔室開口經(jīng)配置為位于與EFEM開口相鄰;和第一存儲容器,所述第一存儲容器被容納在第一腔室中。第一存儲容器包括:第一存儲容器開口,第一存儲容器開口位于與第一腔室開口相鄰;第一存儲容器腔室,第一存儲容器腔室與第一存儲容器開口流體耦接;多個基板保持器,該多個基板保持器位于第一存儲容器腔室中,該多個基板保持器在頂基板保持器和底基板保持器之間延伸;排氣氣室,排氣氣室與第一存儲容器開口相對地耦接至第一存儲容器腔室,其中多個基板保持器位于第一存儲容器開口和排氣氣室之間;和排氣口,排氣口具有中心,中心位于排氣氣室上于頂基板保持器和底基板保持器之間的中點的25%內(nèi)。
在另一方面中,提供了一種操作電子裝置處理系統(tǒng)的方法。該方法包括:提供具有壁的設(shè)備前端模塊(EFEM),壁包括EFEM開口;提供側(cè)存儲艙,側(cè)存儲艙包括艙腔室和腔室開口;將腔室開口定位于與EFEM開口相鄰;將存儲容器定位在艙腔室中,存儲容器具有存儲容器開口和存儲容器腔室;將存儲容器開口放置于與EFEM開口相鄰;將存儲容器腔室中的一個或多個基板放置在具有頂基板保持器和底基板保持器的一個或多個基板保持器上;和使氣體從EFEM開口流經(jīng)存儲容器開口,流入存儲容器腔室,流過一個或多個基板,并從排氣口流出,排氣口具有中心,中心位于頂基板保持器和底基板保持器之間的中點的25%內(nèi)。
根據(jù)以下實施方式、隨附權(quán)利要求書、和隨附附圖,本公開內(nèi)容的其他特征和方面將變得更加明顯。
附圖說明
以下面描述的附圖是出于說明性的目的,且不一定按比例繪制。附圖并不旨在以任何方式限制本公開內(nèi)容的范圍。
圖1示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個實施方式的包括側(cè)存儲艙的電子裝置處理系統(tǒng)的示意性頂視圖。
圖2示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個實施方式的設(shè)備前端模塊(在下文中稱為“EFEM”)的截面?zhèn)纫晥D,設(shè)備前端模塊包括耦接至EFEM主體的壁的側(cè)存儲艙。
圖3示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個或多個實施方式的耦接至EFEM主體的壁的側(cè)存儲艙的側(cè)視圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





