[發明專利]一種改善異質結太陽能電池性能的方法在審
| 申請號: | 201980070320.5 | 申請日: | 2019-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN112930583A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發明(設計)人: | 布雷特·哈勒姆;馬修·賴特;文勇·金;丹妮·陳 | 申請(專利權)人: | 新南創新私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/04 | 分類號: | H01L21/04;H01L31/072;H01L31/18;H01L31/20;H01L51/42 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 澳大利亞新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 異質結 太陽能電池 性能 方法 | ||
1.一種改善n型異質結太陽能電池性能的方法,包括:
提供異質結太陽能電池;所述太陽能電池具有n型硅基板和多個金屬觸點,所述n型硅基板僅摻雜n型摻雜劑,濃度大于1×1014cm-3;
在200℃至300℃之間的溫度下用光照射所述太陽能電池的表面部分少于5分鐘,所述光具有至少為2kW/m2的強度和一波長,使得所述光被所述表面部分吸收并在所述太陽能電池中產生電子-空穴對;
其中照射所述太陽能電池的表面部分的步驟使少于0.5kWh/m2的能量轉移到所述表面部分,并且在光照期間所述表面部分的溫度以至少10℃/s的速率升高一段時間。
2.根據權利要求1所述的方法,其中用光照射所述太陽能電池的表面部分的步驟使得在光照期間所述太陽能電池內的過量載流子濃度為至少1×1016cm-3。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中所述光的波長使得所述多個金屬觸點中的吸收高于所述硅基板中的吸收。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法,還包括改變光照強度以調節所述裝置的溫度。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中照射所述太陽能電池的表面部分的步驟使得通過使用較高的光照強度將暴露部分迅速加熱至預定溫度。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于5kW/m2。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于20kW/m2。
8.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于5kW/m2時間小于6分鐘。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于20kW/m2時間小于90秒。
10.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于100kW/m2時間小于18秒。
11.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于200kW/m2時間小于9秒。
12.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其中所述光照強度高于50kW/m2時間在0.1秒至9秒之間。
13.根據權利要求1至13中任一項所述的方法,其中所述光的波長在700nm至1100nm之間。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法,其中所述光的波長在800nm至1000nm之間。
15.根據權利要求1至14中任一項所述的方法,還包括:在光照期間,當光照強度高于4kW/m2時,主動冷卻所述太陽能電池。
16.根據權利要求1至14中任一項所述的方法,還包括:以至少10℃/s的冷卻速率將所述太陽能電池從在200℃至300℃范圍內的溫度主動冷卻至至少低50℃的溫度。
17.根據權利要求16所述的方法,其中所述太陽能電池以至少20℃/s的冷卻速率冷卻。
18.根據權利要求16或17中任一項所述的方法,其中將所述太陽能電池冷卻至低于150℃的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





