[發(fā)明專利]用于低壓差調(diào)節(jié)器的自適應(yīng)柵極偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980069990.5
• 申請(qǐng)日: 2019-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN112930506B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳爭(zhēng)爭(zhēng);宋超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/565
• 分類號(hào): G05F1/565;G05F1/575;G05F1/618
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 張昊

1.一種低壓差LDO調(diào)節(jié)器的負(fù)載電路，包括：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有柵極、耦合到電源導(dǎo)軌的源極和耦合到所述LDO調(diào)節(jié)器的傳輸晶體管的柵極的漏極；

可調(diào)電壓源，耦合在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和柵極之間；以及

電壓控制電路，被配置為檢測(cè)通過所述傳輸晶體管的電流負(fù)載的變化，并且基于所述電流負(fù)載的檢測(cè)到的所述變化來(lái)調(diào)整所述可調(diào)電壓源的電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載電路，其中所述電壓控制電路被配置為：

通過檢測(cè)由所述電流負(fù)載的所述變化引起的所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極柵極電壓的變化來(lái)檢測(cè)所述電流負(fù)載的所述變化；以及

在與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述源極柵極電壓的檢測(cè)到的所述變化的方向相反的方向上，調(diào)整所述可調(diào)電壓源的電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載電路，其中所述電壓控制電路被配置為：在減小所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的跨導(dǎo)對(duì)所述電流負(fù)載的所述變化的靈敏度的方向上，調(diào)整所述可調(diào)電壓源的電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載電路，其中：

所述LDO調(diào)節(jié)器包括位于所述LDO調(diào)節(jié)器的反饋回路中的放大器；并且

所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極被耦合在所述放大器的輸出和所述傳輸晶體管的柵極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)載電路，其中所述放大器包括共柵放大器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載電路，其中所述可調(diào)電壓源包括：

電阻器，耦合在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和柵極之間；

第一可調(diào)電流源，耦合到所述電阻器的第一端；以及

第二可調(diào)電流源，耦合到所述電阻器的第二端；

其中所述電壓控制電路被配置為：通過調(diào)整所述第一可調(diào)電流源的電流和所述第二可調(diào)電流源的電流來(lái)調(diào)整所述可調(diào)電壓源的電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的負(fù)載電路，其中所述電壓控制電路包括：

電流源，被配置為生成電流；以及

電流感測(cè)晶體管，被配置為生成與通過所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流成比例的感測(cè)電流；

其中所述電壓控制電路被配置為：

從所述電流源的電流中減去所述感測(cè)電流，以生成差電流；并且

基于所述差電流調(diào)整所述第一可調(diào)電流源的電流和所述第二可調(diào)電流源的電流。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載電路，其中所述傳輸晶體管的源極被耦合到所述電源導(dǎo)軌，并且所述傳輸晶體管的漏極被耦合到所述LDO調(diào)節(jié)器的輸出。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的負(fù)載電路，其中所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括第一p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET，并且所述傳輸晶體管包括第二PFET。

10.一種電壓調(diào)節(jié)的方法，包括：

使用低壓差LDO調(diào)節(jié)器來(lái)調(diào)節(jié)電壓，其中所述LDO調(diào)節(jié)器包括傳輸晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有柵極、耦合到電源導(dǎo)軌的源極和耦合到所述傳輸晶體管的柵極的漏極；

檢測(cè)通過所述傳輸晶體管的電流負(fù)載的變化；以及

經(jīng)由耦合在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和柵極之間的可調(diào)電壓源，基于檢測(cè)到的所述電流負(fù)載的所述變化來(lái)調(diào)整所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極柵極電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中：

檢測(cè)所述電流負(fù)載的所述變化包括：檢測(cè)由所述電流負(fù)載的所述變化引起的所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極柵極電壓的變化；以及

調(diào)整所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極柵極電壓包括：在與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述源極柵極電壓的檢測(cè)到的所述變化的方向相反的方向上，調(diào)整所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極柵極電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極柵極電壓包括：在減小所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的跨導(dǎo)對(duì)所述電流負(fù)載的所述變化的靈敏度的方向上，調(diào)整所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏極柵極電壓。