[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980069968.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-08-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112913045A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪鐘昊;金相佑;辛在敏;樸埈亨 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L51/52 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L51/52;H01L51/00;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓芳;程月 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
柔性基底；
像素電路層，布置在所述柔性基底上，并且包括薄膜晶體管和延伸到所述柔性基底的通孔；
第一有機(jī)層，布置在所述像素電路層上并且通過(guò)所述通孔與所述柔性基底接觸；
無(wú)機(jī)層，布置在所述第一有機(jī)層上以覆蓋所述第一有機(jī)層的上表面；
像素電極，布置在所述無(wú)機(jī)層上；以及
封裝層，布置在所述像素電極上，并且包括第一無(wú)機(jī)封裝層、第二無(wú)機(jī)封裝層和在所述第一無(wú)機(jī)封裝層與所述第二無(wú)機(jī)封裝層之間的有機(jī)封裝層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一有機(jī)層包括位于所述薄膜晶體管上并暴露所述像素電路層的上表面的至少一部分的第一開(kāi)口，并且
所述無(wú)機(jī)層覆蓋所述第一開(kāi)口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)層與所述像素電路層的被所述第一開(kāi)口暴露的所述上表面接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述像素電路層的所述上表面是無(wú)機(jī)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)層包括位于所述第一開(kāi)口中的第二開(kāi)口，并且
所述像素電極通過(guò)所述第二開(kāi)口電連接到所述薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述像素電路層還包括覆蓋所述薄膜晶體管并包括無(wú)機(jī)材料的無(wú)機(jī)保護(hù)層，并且
所述第二開(kāi)口延伸以穿透所述無(wú)機(jī)保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)層延伸以覆蓋所述第一有機(jī)層的側(cè)表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述通孔和所述第一有機(jī)層填充有相同的有機(jī)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一有機(jī)層通過(guò)所述通孔與所述柔性基底直接接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括第二有機(jī)層，所述第二有機(jī)層布置在所述無(wú)機(jī)層上，并且通過(guò)覆蓋所述像素電極的邊緣并暴露所述像素電極的中心部分來(lái)限定發(fā)射區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述柔性基底包括穿透所述柔性基底的貫通圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述封裝層延伸以覆蓋所述第一有機(jī)層的外表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述封裝層的所述第一無(wú)機(jī)封裝層與所述第一有機(jī)層的所述外表面表面接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、與所述半導(dǎo)體層的至少一部分疊置的柵電極以及連接到所述半導(dǎo)體層的源電極和漏電極，并且
所述第一有機(jī)層包括暴露所述像素電路層的上表面的包括所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)的至少一部分的第一開(kāi)口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)層與所述像素電路層的通過(guò)所述第一開(kāi)口暴露的所述上表面表面接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)層包括暴露所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)的第二開(kāi)口。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述像素電極通過(guò)所述第二開(kāi)口與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)電接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述柔性基底包括有機(jī)材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
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