[發(fā)明專利]具有帶有受控析出結(jié)構(gòu)的HEA陶瓷基體的PVD涂層在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980069551.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112930418A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西瓦·芬妮·庫(kù)瑪·亞拉曼奇利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歐瑞康表面處理解決方案股份公司普費(fèi)菲孔 |
| 主分類號(hào): | C23C14/58 | 分類號(hào): | C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司: | 上海和躍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 洪磊 |
| 地址: | 瑞士普*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 帶有 受控 析出 結(jié)構(gòu) hea 陶瓷 基體 pvd 涂層 | ||
1.一種用于生產(chǎn)多功能涂層結(jié)構(gòu)的PVD涂覆工藝方法,包括以下步驟:
-在基材上制造HEA陶瓷基體,
-將受控析出結(jié)構(gòu)定向引入該HEA陶瓷基體中以產(chǎn)生所述涂層結(jié)構(gòu)的期望的特定性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVD涂覆工藝方法,其中,受控析出結(jié)構(gòu)的選擇性引入通過熱處理來(lái)進(jìn)行,其中,該HEA陶瓷基體優(yōu)選在熱處理過程中被加熱到1000℃,尤其是高于1000℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PVD涂覆工藝方法,其中,受控析出物結(jié)構(gòu)的選擇性引入的改變通過改變處理時(shí)間和/或處理溫度來(lái)進(jìn)行。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,通過熱處理,在該HEA陶瓷基體層中僅幾納米,優(yōu)選不到50納米,尤其不到10納米被直接加熱。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,受控析出結(jié)構(gòu)定向引入HEA陶瓷基體是在HEA陶瓷基體制造過程中原位進(jìn)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的PVD涂覆工藝方法,其中,該受控析出結(jié)構(gòu)被引入該HEA陶瓷基體通過用于在幾秒內(nèi)將該HEA陶瓷基體表面加熱到在900~1000℃之間溫度的瞬時(shí)加熱源來(lái)進(jìn)行,該瞬時(shí)加熱源優(yōu)選呈激光,尤其是納秒激光的形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,在HEA陶瓷基體制造之后進(jìn)行將受控析出結(jié)構(gòu)定向引入HEA陶瓷基體,優(yōu)選通過在后退火線上的后退火。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,該HEA基體通過在涂覆過程中施加負(fù)偏電壓至基材被沉積在該基材上,其中,該偏電壓小于200伏,優(yōu)選小于150伏,尤其是小于120伏。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,所述HEA陶瓷基體和/或受控析出結(jié)構(gòu)的制造發(fā)生在反應(yīng)性氣氛中,其中,該反應(yīng)性氣氛優(yōu)選含有氮?dú)夂?或氧氣和/或甲烷。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,采用濺射技術(shù),尤其是HiPIMS或者電弧PVD工藝作為PVD涂覆工藝。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的PVD涂覆工藝方法,其中,在HEA陶瓷基體和/或受控析出結(jié)構(gòu)的制造過程中,基材溫度在100℃至400℃之間,優(yōu)選在150℃至300℃之間,尤其在200℃至250℃之間。
12.一種多功能涂層結(jié)構(gòu),其能通過根據(jù)權(quán)利要求1至9任一所述的工藝方法獲得,包括:
-HEA陶瓷基體,
-布置在該HEA陶瓷基體中以保證該涂層結(jié)構(gòu)特定性能的析出結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多功能涂層結(jié)構(gòu),其中,該HEA陶瓷基體含有氮化物和/或碳化物和/或氧化物和/或硼化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13之一所述的多功能涂層結(jié)構(gòu),其中,該HEA陶瓷基體含有元素周期表中的IV族和/或V族和/或VI族的元素,優(yōu)選是以下元素中的至少一個(gè):Ti、Zr、Va、Nb、Ta、Cr、Mo或W。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14之一所述的多功能涂層結(jié)構(gòu),其中,該HEA陶瓷基體含有硅,優(yōu)選作為按原子量算的最多成分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多功能涂層結(jié)構(gòu),其中,該HEA陶瓷基體含有鈦、鋁、硅和釩,其中,該HEA陶瓷基體優(yōu)選以TiAlSiVN形式,尤其以Ti37Al34Si12V17N形式形成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于歐瑞康表面處理解決方案股份公司普費(fèi)菲孔,未經(jīng)歐瑞康表面處理解決方案股份公司普費(fèi)菲孔許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980069551.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





