[發(fā)明專利]通過(guò)組合一組預(yù)定義的分離掩模創(chuàng)建不同設(shè)計(jì)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980069378.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN113168104A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇海爾·加拉希
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北冥投資有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H01L27/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 范海云

1.一種方法，其包括：

基于第一光刻曝光從半導(dǎo)體襯底的裸片區(qū)域的第一部分中的材料層形成第一組裝置特征；及

基于所述第一光刻曝光之后的第二光刻曝光而從所述半導(dǎo)體襯底的所述裸片區(qū)域的第二部分中的所述材料層形成第二組裝置特征；

其中所述裸片區(qū)域的所述第一部分與所述裸片區(qū)域的所述第二部分不重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述第一組裝置特征使用第一光刻掩模形成，且

其中所述第二組裝置特征使用第二光刻掩模形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述第一組裝置特征及所述第二組裝置特征中的至少一者使用正性光致抗蝕劑形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述材料層包括金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述材料層包括再分配層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在所述第一組裝置特征及所述第二組裝置特征中的至少一者下方的所述半導(dǎo)體襯底的一部分包括模擬信令區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述半導(dǎo)體襯底包括硅晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述裸片區(qū)域包括用于可編程半導(dǎo)體中介層的特征。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括：

在所述裸片區(qū)域的所述第一部分中安裝第一小芯片；及

在所述裸片區(qū)域的所述第二部分中安裝第二小芯片。

10.一種方法，其包括：

使用第一光刻掩模將第一光刻圖案應(yīng)用到半導(dǎo)體晶片的單裸片區(qū)域的第一部分；

使用第二光刻掩模將第二光刻圖案應(yīng)用到所述半導(dǎo)體晶片的所述單裸片區(qū)域的第二部分，所述單裸片區(qū)域的所述第二部分與所述單裸片區(qū)域的所述第一部隔開；及

處理所述半導(dǎo)體晶片以形成所述單裸片區(qū)域的所述第一部分中的第一組裝置特征及所述單裸片區(qū)域的所述第二部分中的第二組裝置特征中的至少一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中所述第一組裝置特征的至少一部分及所述第二組裝置特征的至少一部分形成在金屬層及再分配層中的至少一者中。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中所述第一光刻圖案及所述第二光刻圖案中的至少一者被應(yīng)用到正性光致抗蝕劑。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中在所述第一組裝置特征及所述第二組裝置特征中的至少一者下方的所述半導(dǎo)體晶片的一部分包括模擬信令區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中所述單裸片區(qū)域包括用于可編程半導(dǎo)體中介層的特征。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其包括：

在所述裸片區(qū)域的所述第一部分中安裝第一小芯片；及

在所述裸片區(qū)域的所述第二部分中安裝第二小芯片。

16.一種方法，其包括：

將第一光刻掩模放置為相對(duì)于半導(dǎo)體晶片的單裸片區(qū)域的第一部分進(jìn)行第一對(duì)準(zhǔn)；

通過(guò)所述第一光刻掩模執(zhí)行所述半導(dǎo)體晶片的第一光刻曝光；

將第二光刻掩模放置為相對(duì)于所述半導(dǎo)體晶片的所述單裸片區(qū)域的第二部分進(jìn)行第二對(duì)準(zhǔn)；及

通過(guò)所述第二光刻掩模執(zhí)行所述半導(dǎo)體晶片的第二光刻曝光，

其中所述單裸片區(qū)域的所述第一部分與所述單裸片區(qū)域的所述第二部分分離。