[發明專利]用于生成特性圖案和訓練機器學習模型的方法

在審

• 申請號: 201980068610.6
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN112889005A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: M·C·西蒙;林晨希;伍健一
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 胡良均

一種生成用于圖案化過程的特征圖案和訓練機器學習模型的方法。用于生成特征圖案的方法包括：獲得經訓練的生成器模型和輸入圖案，該經訓練的生成器模型被配置為生成特征圖案(例如熱點圖案)；以及經由經訓練的生成器模型(例如CNN)的模擬，基于輸入圖案生成特征圖案，其中，輸入圖案是隨機向量、一種類型圖案中的至少一者。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年10月17日提交的美國申請62/746,784的優先權，該美國申請的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本文的描述總體上涉及圖案化過程以及確定對應于設計布局的特征圖案的設備和方法。

背景技術

光刻投影設備可以用于制造例如集成電路(IC)。在這種情況下，圖案形成裝置(例如掩模)可以包含或提供對應于IC的單層的圖案(“設計布局”)，并且該圖案可以通過諸如經由圖案形成裝置上的圖案照射目標部分的方法，被轉移到其上已經涂覆有一層輻射敏感材料(“抗蝕劑”)的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或多個管芯)上。一般而言，單個襯底包含多個相鄰目標部分，圖案由光刻投影設備連續地轉移到該多個相鄰目標部分，一次一個目標部分。在一種類型的光刻投影設備中，將整個圖案形成裝置上的圖案一次轉移到一個目標部分上；該設備通常被稱為步進器。在通常被稱為步進掃描設備的可替代設備中，投影束在給定參考方向(“掃描”方向)上遍及圖案形成裝置進行掃描，同時平行或反向平行于該參考方向而同步地移動襯底。圖案形成裝置上的圖案的不同部分漸進地轉移到一個目標部分。一般而言，由于光刻投影設備將具有減小的比率M(例如4)，所以移動襯底的速度F將為投影束掃描圖案形成裝置的速度的1/M倍。可以例如從以引用方式并入本文中的US 6,046,792搜集到關于如本文中所描述的光刻設備的更多信息。

在將圖案從圖案形成裝置轉移到襯底之前，襯底可以經歷各種工序，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟烘烤。在曝光之后，襯底可以經受其他工序(“曝光后工序”)，諸如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及對經轉移圖案的測量/檢測。該工序陣列被用作制造器件(例如IC)的單層的基礎。然后，襯底可以經歷各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，這些過程都意圖精加工器件的單層。如果在器件中需要多個層，則針對每一層來重復整個工序或其變型。最終，器件將存在于襯底上的每一個目標部分中。然后，通過諸如切塊或鋸切等技術來使這些器件彼此分離，由此可以將個體器件安裝于載體上、連接到針腳等。

因此，制造器件(諸如半導體器件)通常涉及使用多個制造過程來處理襯底(例如半導體晶片)，以形成器件的各種特征及多個層。通常使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學機械拋光及離子注入來制造及處理這些層及特征。可以在襯底上的多個管芯上制作多個器件，然后將這些器件分離成個體器件。可以將該器件制造過程視為圖案化過程。圖案化過程涉及圖案化步驟，諸如使用光刻設備中的圖案形成裝置來將圖案形成裝置上的圖案轉移到襯底的光學和/或納米壓印光刻術，并且圖案化過程通常但可選地，涉及一個或多個相關圖案處理步驟，諸如通過顯影設備的抗蝕劑顯影、使用烘烤工具的襯底的烘烤、使用蝕刻設備的使用圖案的蝕刻等。

如所提及的，光刻是制造諸如IC的器件時的中心步驟，其中，形成于襯底上的圖案限定器件的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術也用于形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)和其他裝置。

隨著半導體制造過程持續進步，幾十年來，功能元件的尺寸已經不斷地減小，而每器件的諸如晶體管的功能元件的量已經在穩定地增大，這遵循通常被稱為“摩爾定律”的趨勢。在當前技術狀態下，使用光刻投影設備制造器件的層，光刻投影設備使用來自深紫外照射源的照射將對應于設計布局的圖案投影到襯底上，由此產生尺寸遠低于100nm，即小于來自照射源(例如193nm照射源)的輻射的波長的一半，的獨立功能元件。