[發明專利]具有減小的導通電阻的橫向功率器件

在審

• 申請號: 201980068467.0
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN112913031A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 廖文甲;曹建軍;劉芳昌;M·沙瑪
• 申請（專利權）人: 宜普電源轉換公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8234;H01L23/20
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 趙楠

1.一種橫向功率半導體器件，包括：

一個或更多個柵電極；

第一金屬層，其包括與所述一個或更多個柵電極交錯的多個第一源極條和多個第一漏極條；

第二金屬層，其通過電介質與所述第一金屬層分開，并且包括多個第二源極條和多個第二漏極條，其中，所述第一源極條和所述第二源極條電連接，并且其中，所述第一漏極條和所述第二漏極條電連接；

第三金屬層，其通過所述電介質與所述第二金屬層分開，并且包括多個第三源極條和多個第三漏極條，其中，所述第二源極條和所述第三源極條電連接，并且其中，所述第二漏極條和所述第三漏極條電連接；

第一焊接凸點，電連接至所述第三源極條；以及

第二焊接凸點，電連接至所述第三漏極條，其中，所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述第三金屬層以及所述第一焊接凸點和所述第二焊接凸點包括多個電氣路徑，使得電流可以沿著具有最小電阻的電氣路徑在所述多個電氣路徑之間流動。

2.根據權利要求1所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第一金屬層和所述第三金屬層基本彼此平行，并且其中，所述第二金屬層基本垂直于所述第一金屬層和所述第三金屬層。

3.根據權利要求2所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第一源極條和所述第二源極條的寬度小于所述第三源極條的寬度，并且其中，所述第一漏極條和所述第二漏極條的寬度小于所述第三漏極條的寬度。

4.根據權利要求1所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層基本彼此平行，并且其中，所述第三金屬層基本垂直于所述第一金屬層和所述第二金屬層。

5.根據權利要求4所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第三源極條包括較寬的區段和較窄的區段，其中，所述第三漏極條包括較寬的區段和較窄的區段，其中，所述第三源極條的較寬的區段與所述第三漏極條的較窄的區段交錯，其中，所述第三源極條的較窄的區段與所述第三漏極條的較寬的區段交錯。

6.根據權利要求5所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第一焊接凸點電連接到所述第三源極條的較寬的區段，并且其中，所述第二焊接凸點電連接到所述第三漏極條的較寬的區段。

7.根據權利要求5所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第三源極條和所述第三漏極條相距閾值距離。

8.根據權利要求7所述的橫向功率半導體器件，其中，相距的所述閾值距離為兩微米。

9.根據權利要求1所述的橫向功率半導體器件，還包括在所述第三金屬層與所述第一焊接凸點和所述第二焊接凸點之間的非導電層，其中，所述非導電層將所述第一焊接凸點與所述第三漏極條隔離，并且將所述第二焊接凸點與所述第三源極條隔離。

10.根據權利要求1所述的橫向功率半導體器件，其中，所述第一焊接凸點和所述第二焊接凸點由凸點下金屬構成。