[發明專利]金屬氧化物的制造方法及半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201980068259.0 | 申請日： | 2019-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112913033A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 制造 方法 半導體 裝置 | ||
1.一種金屬氧化物的制造方法，包括如下步驟：
在襯底上形成包含銦的金屬氧化物的第一工序；以及
從所述金屬氧化物上進行微波處理的第二工序，
其中，所述第二工序在減壓下且使用包含氧的氣體進行，
并且，通過所述第二工序將氫進入所述金屬氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分為氧空位(VO)和氫(H)。
2.一種金屬氧化物的制造方法，包括如下步驟：
在襯底上形成包含銦的金屬氧化物的第一工序；
從所述金屬氧化物上進行微波處理的第二工序；以及
對所述金屬氧化物進行加熱處理的第三工序，
其中，所述第二工序在減壓下且使用包含氧的氣體進行，
所述第三工序在減壓下進行，
通過所述第二工序將氫進入所述金屬氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分為氧空位(VO)和氫(H)，
并且，通過所述第三工序減少所述金屬氧化物中的氧空位(VO)。
3.一種金屬氧化物的制造方法，包括如下步驟：
在襯底上形成包含銦的金屬氧化物的第一工序；
在所述金屬氧化物上形成第一導電體及第二導電體的第二工序；
從所述金屬氧化物上進行微波處理的第三工序；以及
對所述金屬氧化物進行加熱處理的第四工序，
其中，所述第三工序在減壓下且使用包含氧的氣體進行，
所述第四工序在減壓下進行，
通過所述第三工序將氫進入所述金屬氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分為氧空位(VO)和氫(H)，
并且，通過所述第四工序減少所述金屬氧化物中的氧空位(VO)且所述金屬氧化物中的氫(H)擴散到所述第一導電體及所述第二導電體。
4.一種金屬氧化物的制造方法，包括如下步驟：
在襯底上形成包含銦的金屬氧化物的第一工序；
在所述金屬氧化物上形成第一導電體及第二導電體的第二工序；
在所述金屬氧化物上形成絕緣膜的第三工序；
從所述絕緣膜上進行微波處理的第四工序；以及
對所述金屬氧化物和所述絕緣膜中的一方或雙方進行加熱處理的第五工序；
其中，所述第四工序在減壓下且使用包含氧的氣體進行，
所述第五工序在減壓下進行，
通過所述第四工序將氫進入所述金屬氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分為氧空位(VO)和氫(H)，
并且，通過所述第五工序減少所述金屬氧化物中的氧空位(VO)且所述金屬氧化物中的氫(H)擴散到所述第一導電體及所述第二導電體。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的金屬氧化物的制造方法，
其中所述加熱處理的溫度為300℃以上且500℃以下。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的金屬氧化物的制造方法，
其中所述微波處理的壓力為133Pa以上。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的金屬氧化物的制造方法，
其中所述第一工序使用包含銦的氧化物靶材通過濺射法而進行。
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