[發(fā)明專利]聚硅氧烷組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980068121.0
• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN112996849B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 會田健介;佐藤敦彥;小崎力生;有馬一彌
• 申請（專利權(quán)）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: C08K5/092
• 分類號: C08K5/092;C09D183/04;C08L83/04
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

1.一種聚硅氧烷組合物，包含：

聚硅氧烷，第一酸解離常數(shù)pKa₁為4.0以下的由下式(II)表示的二羧酸，和溶劑，

HOOC-L-COOH(II)

式(II)中，L為單鍵，具有1至6個碳原子的羥基取代的亞烷基或氨基取代的亞烷基，取代或未取代的具有2至4個碳原子的亞烯基，取代或未取代的具有2至4個碳原子的亞炔基，或取代或未取代的具有6至10個碳原子的亞芳基，

其中，所述二羧酸的摩爾數(shù)與所述聚硅氧烷的摩爾數(shù)之比為0.1至6.0，

其中，所述聚硅氧烷具有下式(Ia)表示的重復(fù)單元和/或下式(Ib)表示的重復(fù)單元：

式(Ia)中，

R¹為氫，1至3價的C_1-30直鏈、支鏈或環(huán)狀飽和或不飽和的脂肪族烴基，或1至3價的C_6-30芳香族烴基，

在所述脂肪族烴基和芳香族烴基中，一個以上亞甲基未被取代或被氧基、酰亞胺基或羰基取代，一個以上氫未被取代或被氟、羥基或烷氧基取代，并且一個以上碳原子未被取代或被硅取代，

當(dāng)R¹為二價或三價時，R¹連接多個重復(fù)單元中包含的Si；

所述聚硅氧烷中包含的由式(Ib)表示的重復(fù)單元的數(shù)量與由式(Ia)和(Ib)表示的重復(fù)單元的總數(shù)的比率為1％至100％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，

所述L為單鍵，具有2至4個碳原子的羥基取代的亞烷基，未取代的具有一個C＝C鍵和2至4個碳原子的亞烯基，或未取代的具有6至10個碳原子的亞芳基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物，其中，

所述二羧酸從由草酸、馬來酸、富馬酸、蘋果酸和鄰苯二甲酸所組成的群組中選出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，R¹從由氫原子、甲基、乙基和苯基所組成的群組中選出。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述聚硅氧烷的質(zhì)均分子量為500至5000。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述二羧酸的摩爾數(shù)與所述聚硅氧烷的摩爾數(shù)之比為0.15至2.0。

7.一種制造硅質(zhì)膜的方法，包括將根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的組合物涂布到基板上以形成涂膜，并加熱所述涂膜。

8.一種電子器件，包括根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅質(zhì)膜。