[發(fā)明專利]帶電粒子束描繪裝置、帶電粒子束描繪方法以及程序

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• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112840437A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 野村春之;中山田憲昭
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20;H01J37/305
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉杰

對因帶電現(xiàn)象而導致的位置偏移高精度地進行修正。帶電粒子束描繪裝置(100)具備：使用圖案密度分布以及照射劑量分布來算出帶電粒子束的照射量分布的照射量分布算出部(33)；通過對多個覆蓋帶電粒子的分布函數(shù)的各個與照射量分布分別進行卷積積分來算出多個覆蓋帶電粒子量分布的覆蓋帶電粒子量分布算出部(34)；使用圖案密度分布、照射劑量分布以及照射量分布算出因直接帶電而導致的帶電量分布，并使用多個覆蓋帶電粒子量分布算出因多個覆蓋帶電而導致的帶電量分布的帶電量分布算出部(35)；算出基于因直接帶電而導致的帶電量分布以及因多個覆蓋帶電而導致的帶電量分布的描繪位置的位置偏移量的位置偏移量算出部(38)；使用位置偏移量對照射位置進行修正的修正部(42)；以及對修正后的照射位置照射帶電粒子束的描繪部(150)。

技術領域

本發(fā)明涉及帶電粒子束描繪裝置、帶電粒子束描繪方法以及程序。

背景技術

伴隨著LSI的高度集成化，半導體器件所要求的電路線寬逐年微細化。為了在半導體器件形成所期望的電路圖案，采用使用縮小投影型曝光裝置將在石英上形成的高精度的原畫圖案(掩模、或者尤其是在步進式曝光裝置或掃描式曝光裝置中使用的也稱為中間掩模)縮小轉印至晶圓上的方法。高精度的原畫圖案由電子束描繪裝置描繪，使用所謂的電子束光刻技術。

當朝掩模等基板照射電子束的情況下，因過去照射的電子束而照射位置或其周圍帶電，從而照射位置偏移。以往，作為消除這樣的射束照射位置偏移的方法之一，公知有如下的方法：在基板上形成防止帶電膜(CDL：Charge Dissipation Layer)，從而防止基板表面帶電。但是，該防止帶電膜基本上具有酸的特性，因此當在基板上涂布有化學放大型抗蝕劑的情況下等相性不佳。并且，為了形成防止帶電膜需要設置新的設備，制造成本進一步增大。因此，期望不使用防止帶電膜就能夠進行帶電效應修正(CEC：Charging EffectCorrection)。

提出有使用了求出帶電量分布來算出射束照射位置的修正量的帶電效應修正的方法的描繪裝置(例如參照專利文獻1、2)。但是，在以往的帶電效應修正中，會產生在一部分區(qū)域中無法充分應對近來要求的尺寸精度的問題。

專利文獻1：日本特開2009-260250號公報

專利文獻2：日本特開2011-040450號公報

專利文獻3：日本特開2018-133552號公報

專利文獻4：日本特許第5617947號公報

發(fā)明內容

本發(fā)明的課題在于提供一種對因帶電現(xiàn)象而導致的位置偏移進行修正的帶電粒子束描繪裝置、帶電粒子束描繪方法以及程序。

基于本發(fā)明的一個實施方式的帶電粒子束描繪裝置，利用偏轉器使帶電粒子束偏轉而在工作臺上的基板描繪圖案，具備：圖案密度分布算出部，將上述基板的描繪區(qū)域假想分割為網格狀，并算出表示每個網格區(qū)域的上述圖案的配置比例的圖案密度分布；照射劑量分布算出部，使用上述圖案密度分布算出表示每個網格區(qū)域的照射劑量的照射劑量分布；照射量分布算出部，使用上述圖案密度分布以及上述照射劑量分布，算出從上述放射部放射并照射至上述基板的上述帶電粒子束的照射量分布；覆蓋帶電粒子量分布算出部，對分布中心以及覆蓋效應的影響半徑不同的多個覆蓋帶電粒子的分布函數(shù)的各個、與上述照射量分布分別進行卷積積分，由此算出多個覆蓋帶電粒子量分布；帶電量分布算出部，使用上述圖案密度分布、上述照射劑量分布以及上述照射量分布算出因直接帶電而導致的帶電量分布，并且使用上述多個覆蓋帶電粒子量分布算出因多個覆蓋帶電而導致的帶電量分布；位置偏移量算出部，算出基于因上述直接帶電而導致的帶電量分布以及因上述多個覆蓋帶電而導致的帶電量分布的描繪位置的位置偏移量；修正部，使用上述位置偏移量來對照射位置進行修正；以及描繪部，對修正后的照射位置照射帶電粒子束。

發(fā)明效果

根據本發(fā)明，能夠對因帶電現(xiàn)象而導致的位置偏移高精度地進行修正。

附圖說明