[發(fā)明專利]具有改進(jìn)性能的阻抗元件的電聲RF濾波器以及包括該濾波器的復(fù)用器組件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980067580.7 | 申請日： | 2019-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN112889217A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·朔伊費勒;T·鮑爾;G·達(dá)德加·賈維德 | 申請（專利權(quán)）人： | RF360歐洲有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H03H9/05 | 分類號： | H03H9/05;H03H9/10;H03H9/54;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 傅遠(yuǎn) |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 改進(jìn) 性能 阻抗 元件 電聲 rf 濾波器 以及 包括 復(fù)用器 組件 | ||
1.一種電聲RF濾波器，包括
-輸入端口和輸出端口，
-電聲諧振器，電連接在所述輸入端口與所述輸出端口之間，
-聲學(xué)不活動阻抗元件，電耦合到所述電聲諧振器，以及
-阻尼和/或耗散元件，連接到所述聲學(xué)不活動阻抗元件，
其中
-所述阻尼和/或耗散元件被提供并被配置為：通過聲能的耗散，或通過減少耦合，或通過抑制聲模，從所述不活動阻抗元件移除聲能。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的電聲RF濾波器，其中所述聲學(xué)不活動阻抗元件是電容元件或電感元件。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中
-所述電聲諧振器是SAW諧振器、BAW諧振器或GBAW諧振器，以及
-所述聲學(xué)不活動阻抗元件包括叉指狀電極結(jié)構(gòu)或兩個電極，所述兩個電極由所述電極之間的電介質(zhì)層隔開。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中
-所述電聲諧振器具有第一層構(gòu)造，而所述聲學(xué)不活動阻抗元件具有第二層構(gòu)造，并且所述第一層構(gòu)造和所述第二層構(gòu)造在選自以下各項的至少一個參數(shù)上不同：層的數(shù)目、層的厚度、層的材料以及層的粘度。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中所述聲學(xué)不活動阻抗元件具有相對于所述電聲諧振器的取向被旋轉(zhuǎn)的取向。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中所述阻尼和/或耗散元件具有比所述電聲諧振器的直接鄰近的材料高的粘度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中所述電聲諧振器基于選自以下各項的封裝技術(shù)而被布置在殼體中：TFAP封裝、CSSP封裝、CSSP+封裝、DSSP封裝。
8.根據(jù)前一項權(quán)利要求所述的電聲RF濾波器，其中所述殼體的元件建立所述阻尼和/或耗散元件。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項所述的電聲RF濾波器，其中所述聲學(xué)不活動電路元件由所述殼體的元件直接覆蓋。
10.一種復(fù)用器組件，包括前述權(quán)利要求中的一項的電聲濾波器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于RF360歐洲有限責(zé)任公司，未經(jīng)RF360歐洲有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980067580.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
