[發(fā)明專利]壓電的多層器件和用于制造壓電的多層器件的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980066794.2
• 申請日: 2019-10-01
• 公開（公告）號: CN114127969A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 丹尼斯·奧羅塞爾;王永力
• 申請（專利權）人: TDK電子股份有限公司
• 主分類號: H01L41/187
• 分類號: H01L41/187;H01L41/37;H01L41/43
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;支娜

1.一種壓電的多層構件，其包括陶瓷基體(1)，所述陶瓷基體包含陶瓷材料，其中

-所述陶瓷材料的主要組分具有一般通式(K_xNa_1-x)NbO₃，并且適用：0≤x≤1，

-并且所述陶瓷材料包含至少兩種添加物，所述添加物選自分別包含至少一種金屬的化合物的集合，所述至少一種金屬選自至少包含K、Nb、Cu、Mn、Ta的金屬的集合。

2.根據(jù)權利要求1所述的壓電的多層構件，

其中所述多層構件適合于在大氣壓等離子體發(fā)生器中使用。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的壓電的多層構件，

其中所述陶瓷基體(1)具有多個內(nèi)電極(2)。

4.根據(jù)權利要求3所述的壓電的多層構件，

其中所述內(nèi)電極(2)由選自如下集合的材料構成，所述集合至少包含Ag、Pd、Pt、Cu、Ni和由至少兩種提到的金屬構成的合金。

5.一種用于制造壓電的多層器件的方法，所述多層器件包括陶瓷基體(1)，所述陶瓷基體包含陶瓷材料，其中所述方法包括第一煅燒步驟和第二煅燒步驟。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，

其中所述第二煅燒步驟在如下最高溫度執(zhí)行，所述最高溫度與執(zhí)行所述第一煅燒步驟所處于的最高溫度不同。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，

其中所述第一煅燒步驟在選自700℃至800℃的范圍的最高溫度執(zhí)行，并且所述第二煅燒步驟在選自800℃至900℃的范圍的最高溫度執(zhí)行。

8.根據(jù)權利要求5至7中任一項所述的方法，

其中對于所述第二煅燒步驟選擇保持時間，所述保持時間等于所述第一煅燒步驟的保持時間。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，

其中所述第一煅燒步驟和所述第二煅燒步驟分別在選自兩小時至六小時的范圍的保持時間中執(zhí)行。

10.一種用于制造壓電的多層器件的方法，所述多層器件包括陶瓷基體(1)，所述陶瓷基體包含陶瓷材料，

其中將用于制造所述陶瓷材料的初始材料在水中進行工藝處理。

11.根據(jù)權利要求5至10中任一項所述的方法，

其中執(zhí)行燒結步驟，對于所述燒結步驟選擇在1000℃和1080℃之間的最高溫度以及在30分鐘和120分鐘之間的保持時間。

12.根據(jù)權利要求5至11中任一項所述的方法，

其中在惰性氣氛中執(zhí)行燒結步驟。

13.根據(jù)權利要求5至12中任一項所述的方法，

其中在燒結步驟之后執(zhí)行退火步驟。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，

其中對于所述退火步驟選擇在800℃和900℃之間的最高溫度以及在一小時和兩小時之間的保持時間。

15.根據(jù)權利要求13或14所述的方法，

其中作為在所述退火步驟期間的氣氛，選擇空氣或具有2×10^-1至2×10^-6bar的氧氣分壓的氣氛。