[發(fā)明專利]后段工藝集成金屬-絕緣體-金屬電容器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980066125.5 | 申請日： | 2019-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN112868097A | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陸葉;鮑軍靜;成海濤;宋超 | 申請（專利權）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 傅遠 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 后段 工藝 集成 金屬 絕緣體 電容器 | ||
1.一種電容器，包括：
第一電極，包括導電后段工藝層；
第二電極，包括氮化物基金屬；以及
蝕刻停止層，位于所述第一電極與所述第二電極之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括高K材料、或所述高K材料和低K材料的組合。
3.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括氧摻雜碳和氮化鋁的組合。
4.根據(jù)權利要求3所述的電容器，其中所述蝕刻停止層還包括氧摻雜鋁。
5.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述蝕刻停止層在下部四個后段工藝層中的一個層中。
6.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括五納米與十納米之間的厚度。
7.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述第一電極包括銅(Cu)、鈷(Co)或釕(Ru)。
8.根據(jù)權利要求1所述的電容器，其中所述第二電極包括氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、或氮化鎢(WN)。
9.一種制作電容器的方法，包括：
形成第一電極，所述第一電極包括導電后段工藝(BEOL)層；
在所述第一電極上沉積蝕刻停止層；以及
在所述蝕刻停止層上制作第二電極，所述第二電極包括氮化物基金屬。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中沉積所述蝕刻停止層包括：沉積高K材料、或所述高K材料和低K材料的組合。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中沉積所述蝕刻停止層包括：沉積氧摻雜碳和氮化鋁的組合。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中沉積所述蝕刻停止層還包括：沉積氧摻雜鋁。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括：將所述蝕刻停止層沉積在下部四個后段工藝層的一個層中。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中沉積所述蝕刻停止層包括：沉積具有五納米與十納米之間的厚度的所述蝕刻停止層。
15.一種電容器，包括：
用于互連所制作的器件和襯底上的布線互連件的部件；
電極，包括氮化物基金屬；以及
蝕刻停止層，位于所述互連部件與所述電極之間。
16.根據(jù)權利要求15所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括高K材料、或所述高K材料和低K材料的組合。
17.根據(jù)權利要求15所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括氧摻雜碳和氮化鋁的組合。
18.根據(jù)權利要求17所述的電容器，其中所述蝕刻停止層還包括氧摻雜鋁。
19.根據(jù)權利要求15所述的電容器，其中所述蝕刻停止層在下部四個后段工藝層中的一個層中。
20.根據(jù)權利要求15所述的電容器，其中所述蝕刻停止層包括五納米與十納米之間的厚度。
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