[發明專利]粒子測定裝置、校正方法以及測定裝置

在審

• 申請號: 201980065132.3
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN112840199A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 加藤晴久;松浦有祐;中村文子;近藤郁;田渕拓哉;冨田寬;林秀和
• 申請（專利權）人: 國立研究開發法人產業技術綜合研究所;理音株式會社;鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G01N15/02
• 分類號: G01N15/02;G01N15/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李成必;李雪春

1.一種粒子測定裝置，測定分散介質內的目標粒子的粒徑，其特征在于包括：

圖像分析部，取得以規定時間間隔得到的多個拍攝圖像，(a)在校正模式下，根據所述多個拍攝圖像中的校正用粒子的光點的像素單位的位移，確定所述校正用粒子的光點的均方位移，(b)在測定模式下，根據所述多個拍攝圖像中的所述目標粒子的光點的像素單位的位移，確定所述目標粒子的光點的均方位移；以及

粒徑分析部，(c)在分析模式下，基于所述校正用粒子的光點的均方位移以及所述校正用粒子的粒徑，根據所述目標粒子的光點的均方位移導出所述目標粒子的粒徑。

2.根據權利要求1所述的粒子測定裝置，其特征在于，所述圖像分析部(a)在所述校正模式下，根據所述分散介質的流速分布來修正所述校正用粒子的光點的位移，確定所述校正用粒子的光點的均方位移，(b)在所述測定模式下，根據所述分散介質的流速分布來修正所述目標粒子的光點的位移，確定所述目標粒子的光點的均方位移。

3.根據權利要求1或2所述的粒子測定裝置，其特征在于，所述粒徑分析部把導出的所述粒徑分類在規定的多個粒徑范圍的任意一個中，并分別對所述規定的多個粒徑范圍中的粒子數進行計數。

4.根據權利要求1所述的粒子測定裝置，其特征在于，

所述圖像分析部取得以規定時間間隔得到的多個拍攝圖像，(a)在校正模式下，根據所述多個拍攝圖像中的校正用粒子的光點的像素單位的位移，確定所述校正用粒子的光點的均方位移，并計算所述校正用粒子的光點的均方位移與所述校正用粒子的粒徑的積，作為裝置常數，(b)在測定模式下，根據所述多個拍攝圖像中的目標粒子的光點的像素單位的位移，確定所述目標粒子的均方位移，

所述粒徑分析部(c)在分析模式下，用所述裝置常數除以所述目標粒子的光點的均方位移，導出所述目標粒子的粒徑。

5.根據權利要求4所述的粒子測定裝置，其特征在于，

所述圖像分析部分別確定所述拍攝圖像內的多個位置上的、所述校正用粒子的光點的均方位移，

所述粒徑分析部根據所述拍攝圖像內的多個位置上的、所述裝置常數的二維分布，導出所述拍攝圖像內的、所述目標粒子的光點的位置上的粒徑。

6.一種校正方法，是由攝像裝置拍攝分散介質內的目標粒子并測定所述目標粒子的粒徑的粒子測定裝置的校正方法，

所述校正方法的特征在于，包括如下步驟：

所述粒子測定裝置根據以規定時間間隔得到的多個拍攝圖像中的、校正用粒子的光點的像素單位的位移，確定所述校正用粒子的光點的均方位移；

基于所述校正用粒子的光點的均方位移和所述校正用粒子的粒徑，由所述粒子測定裝置根據以規定時間間隔得到的多個拍攝圖像中的、所述目標粒子的光點的像素單位的位移所確定的所述目標粒子的光點的均方位移，能計算出所述目標粒子的粒徑，進行校正。

7.根據權利要求6所述的校正方法，其特征在于，根據所述分散介質的流速分布，修正所述校正用粒子的光點的位移，確定所述校正用粒子的光點的均方位移。

8.一種測定裝置，對由攝像裝置拍攝的對象物進行測定，其特征在于，

針對具有預先得到的粘度的分散介質內的校正用粒子，根據斯托克斯-愛因斯坦公式，導出物理單位的所述校正用粒子的均方位移，

根據由所述攝像裝置以規定時間間隔多次拍攝所述分散介質內的校正用粒子得到的多個拍攝圖像中的、校正用粒子的光點的像素單位的位移，確定像素單位的所述校正用粒子的光點的均方位移，并且，

具有利用所述物理單位的所述校正用粒子的均方位移與像素單位的所述校正用粒子的光點的均方位移的對應關系校正后的分度。