[發明專利]靜電去除基材表面異物的裝置和方法在審
| 申請號: | 201980064790.0 | 申請日: | 2019-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN112789718A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 安東尼奧·羅通達龍;德里克·巴塞特;特拉斯·赫德;伊赫桑·西姆斯 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H02N13/00;B23Q3/15;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 陳煒;李德山 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 去除 基材 表面 異物 裝置 方法 | ||
1.一種襯底加工系統,該襯底加工系統被配置為去除襯底表面上的微粒,該襯底加工系統包括:
吸盤,該吸盤被配置為將該襯底放置在其上;
該吸盤內的多個電極,這些電極在整個吸盤內以重復的間隔模式提供;以及
耦合至該多個電極的多個電壓,該多個電壓是交流電壓,該多個電壓包括多個不同的電壓信號,該多個不同的電壓信號彼此相移,
其中,提供該多個電極與該多個電壓的耦合以使得向相鄰電極提供該多個不同的電壓信號中的不同電壓信號,該多個不同的電壓信號中的這些不同電壓信號彼此相移,該多個電極和該多個電壓的布置使得在該襯底表面上產生交變電位場,并且
其中,該多個電極的寬度等于這些電極的頂部與該襯底的上表面之間的高度,在±20%范圍內。
2.如權利要求1所述的系統,其中,該多個電極被間隔開以使得相鄰電極在相鄰電極之間的間距等于該電極的頂部與該襯底的上表面之間的高度,在±20%范圍內。
3.如權利要求1所述的系統,其中,該襯底是半導體晶片。
4.如權利要求1所述的系統,其中,這些不同的電壓信號由具有120度相移的三個不同的電壓信號組成。
5.如權利要求4所述的系統,其中,該多個電極被間隔開以使得相鄰電極在相鄰電極之間的間距等于該電極的頂部與該襯底的上表面之間的高度,在±20%范圍內。
6.如權利要求5所述的系統,其中,該襯底是半導體晶片。
7.如權利要求1所述的系統,其中,該系統是等離子體加工系統。
8.如權利要求1所述的系統,其中,這些電極在該吸盤內被布置成方形形狀電極模式或同心螺旋形模式。
9.如權利要求1所述的系統,其中,這些電極在該吸盤內被布置成平行線。
10.如權利要求1所述的系統,其中,這些電極在該吸盤內被布置成同心圓。
11.一種去除襯底表面上的微粒的方法,該方法包括:
提供襯底加工工具;
在該襯底加工工具內提供吸盤;
在該吸盤內提供多個電極;
在該吸盤上提供該襯底;
向該多個電極提供多個相移交流電壓,這些相移交流電壓與該多個電極以使得相鄰電極具有相移的電壓的模式進行耦合;
通過使用該多個電極和該多個相移交流電壓在該襯底表面上產生電位;以及
利用該襯底表面上的電位通過使微粒跨該襯底表面移動來去除該表面上的微粒。
12.如權利要求11所述的方法,其中,該多個相移交流電壓包括至少三個相移電壓。
13.如權利要求11所述的方法,其中,該多個相移交流電壓包括具有120度相移的三個相移電壓。
14.如權利要求11所述的方法,其中,由于該多個相移交流電壓的相移,該襯底表面上的電位在整個襯底上交變。
15.如權利要求11所述的方法,其中,該多個電極的寬度等于這些電極的頂部與該襯底的上表面之間的高度,在±20%范圍內。
16.如權利要求15所述的方法,其中,該多個相移交流電壓包括具有120度相移的三個相移電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





