[發明專利]液晶化合物取向層轉印用取向薄膜

有效

• 申請號: 201980064543.0
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112789531B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 佐佐木靖;村田浩一
• 申請（專利權）人: 東洋紡株式會社
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;B32B27/36;G01M11/00;G01N21/88;B29C48/08
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，其為用于將液晶化合物取向層轉印至對象物的取向薄膜，取向薄膜的脫模面的表面粗糙度(SRa)為1nm以上且30nm以下。

2.根據權利要求1所述的液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的脫模面的十點表面粗糙度(SRz)為5nm以上且200nm以下。

3.根據權利要求1或2所述的液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜為聚酯薄膜。

4.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體，其特征在于，其為層疊有液晶化合物取向層與取向薄膜的層疊體，取向薄膜為權利要求1～3中任一項所述的取向薄膜。

5.一種液晶化合物取向層層疊偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板與權利要求4所述的層疊體的液晶化合物取向層面貼合而形成中間層疊體的工序；和，從中間層疊體剝離取向薄膜的工序。

6.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體的檢查方法，其特征在于，其為檢查權利要求4所述的層疊體中的液晶化合物取向層的取向狀態的方法，所述檢查方法包括如下工序：從層疊體的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟與取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流動方向、或跟與流動方向正交的方向平行的電場振動方向的直線偏振光，在液晶化合物取向層面側進行光接收。

7.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體的檢查方法，其特征在于，其為檢查權利要求4所述的層疊體中的液晶化合物取向層的取向狀態的方法，所述檢查方法包括如下工序：從層疊體的液晶化合物取向層面照射橢圓偏振光，在取向薄膜面側進行光接收。

8.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體的檢查方法，其特征在于，其為檢查權利要求4所述的層疊體中的液晶化合物取向層的取向狀態的方法，所述檢查方法包括如下工序：從層疊體的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟與取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流動方向、或跟與流動方向正交的方向平行的電場振動方向的直線偏振光的工序；用設置于層疊體的液晶化合物取向層側的鏡面反射板，使透過層疊體的光反射的工序；和，在取向薄膜側，將反射后的光進行光接收的工序。

9.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體的檢查方法，其特征在于，其為檢查權利要求4所述的層疊體中的液晶化合物取向層的取向狀態的方法，所述檢查方法至少包括如下工序：向層疊體照射偏振光而使偏振光通過層疊體的工序；和，將通過了層疊體的偏振光進行光接收的工序，

通過層疊體的取向薄膜的偏振光為具有跟取向薄膜的取向方向、或跟與取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流動方向、或跟與流動方向正交的方向平行的電場振動方向的直線偏振光，或

通過層疊體的液晶化合物取向層面的偏振光為橢圓偏振光。

10.一種液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，其為用于將液晶化合物取向層轉印至對象物的取向薄膜，取向薄膜的與脫模面相反側的面的表面粗糙度(SRa)為1nm以上且50nm以下，且取向薄膜的與脫模面相反側的面的十點表面粗糙度(SRz)為10nm以上且1500nm以下。

11.根據權利要求10所述的液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的與脫模面相反側的面的最大高度(SRy)為15nm以上且2000nm以下。

12.根據權利要求10或11所述的液晶化合物取向層轉印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜為聚酯薄膜。

13.一種液晶化合物取向層轉印用層疊體，其特征在于，其為層疊有液晶化合物取向層與取向薄膜的層疊體，取向薄膜為權利要求10～12中任一項所述的取向薄膜。