[發明專利]鹵化物的制造方法

有效

• 申請號: 201980064331.2
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN112789242B
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 久保敬;西尾勇祐;酒井章裕;宮崎晃暢
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: C01F17/36
• 分類號: C01F17/36;C01F17/10;H01M10/0562;H01B13/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王磊;劉靜

本公開的鹵化物的制造方法，包括在惰性氣體氣氛下對混合材料進行燒成的燒成工序，該混合材料是(NHsubgt;4/subgt;)subgt;a/subgt;MXsubgt;3+a/subgt;和LiZ混合而成的材料。所述M包含選自Y、鑭系元素和Sc中的至少一種元素。所述X是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素。所述Z是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素。且滿足0＜a≤3。

技術領域

本公開涉及鹵化物的制造方法。

背景技術

專利文獻1公開了一種鹵化物固體電解質的制造方法。

現有技術文獻

專利文獻1：國際公開第2018/025582號

發明內容

在現有技術中，希望以工業上生產率高的方法制造鹵化物。

本公開一方案的鹵化物的制造方法，包括在惰性氣體氣氛下對混合材料進行燒成的燒成工序，該混合材料是(NH₄)_aMX_3+a和LiZ混合而成的材料，所述M包含選自Y、鑭系元素和Sc中的至少一種元素，所述X是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素，所述Z是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素，且滿足0＜a≤3。

根據本公開，能夠以工業上生產率高的方法制造鹵化物。

附圖說明

圖1是表示實施方式1中的制造方法一例的流程圖。

圖2是表示實施方式1中的制造方法一例的流程圖。

圖3是表示實施方式1中的制造方法一例的流程圖。

圖4是表示離子傳導率的評價方法的示意圖。

圖5是表示由交流阻抗測定得到的離子傳導率的評價結果的坐標圖。

具體實施方式

以下，參照附圖說明實施方式。

(實施方式1)

圖1是表示實施方式1中的制造方法一例的流程圖。

實施方式1中的制造方法包括燒成工序S1000。燒成工序S1000是在惰性氣體氣氛下對混合材料進行燒成的工序。

在此，燒成工序S1000中燒成的混合材料是(NH₄)_aMX_3+a和LiZ混合而成的材料。

此時，M包含選自Y(即釔)、鑭系元素(即選自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種元素)和Sc(即鈧)中的至少一種元素。

另外，X是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素。

另外，Z是選自Cl、Br、I和F中的至少一種元素。

另外，滿足0a≤3。

根據以上方案，能夠以工業上生產率高的方法(例如能夠以低成本大量生產的方法)制造鹵化物。即，能夠采用簡便的制造方法(即在惰性氣體氣氛下的燒成)來制造包含Li(即鋰)和M的鹵化物而無需使用真空密封管和行星型球磨機。另外，作為原料之一的(NH₄)_aMX_3+a能夠由廉價的M₂O₃和NH₄X簡便地合成，因此能夠進一步降低制造成本。

再者，在本公開中，M可以是選自Y、Sm和Gd中的至少一種元素。

根據上述方案，能夠制造離子傳導率更高的鹵化物。