[發明專利]具有加熱元件的電光系統在審
| 申請號: | 201980064254.0 | 申請日: | 2019-10-03 |
| 公開(公告)號: | CN112771406A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | Y·阿爾珀恩;M·吉爾 | 申請(專利權)人: | 創新科技有限公司 |
| 主分類號: | G01S7/481 | 分類號: | G01S7/481;G01S17/931;G02B26/08 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務所 11313 | 代理人: | 王丹丹;王云紅 |
| 地址: | 以色列,*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 加熱 元件 電光 系統 | ||
1.一種微機電系統(MEMS)反射鏡組件,所述反射鏡組件包括:
MEMS反射鏡;
框架;
至少一個壓電致動器,其被配置為使所述MEMS反射鏡相對于所述框架移動,其中所述至少一個壓電致動器包括主體和壓電元件,所述壓電元件被配置為當經受電場時使所述主體彎曲,由此移動所述MEMS反射鏡;以及
至少一個加熱電阻器,其被配置為當電流穿過所述至少一個加熱電阻器時加熱所述壓電元件。
2.根據權利要求1所述的反射鏡組件,其還包括控制器,所述控制器被配置為響應于與所述壓電元件的溫度相關的信息使所述電流穿過所述至少一個加熱電阻器。
3.根據權利要求1或2所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在電光系統的晶片的金屬層上實現。
4.根據權利要求3所述的反射鏡組件,其中,用于向所述壓電元件施加所述電場的至少一個電極在所述金屬層上實現。
5.根據權利要求1或2所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在電光系統的晶片的硅基層的摻雜區域上實現。
6.根據權利要求1或2所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在所述壓電致動器中的至少一個上實現。
7.根據權利要求1或2所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在所述框架上實現。
8.根據權利要求1、2和7中任一項所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在所述框架的與所述壓電致動器中的至少一個相鄰的邊緣上實現。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器在所述電光系統的與所述壓電致動器中的至少一個相鄰的不可移動部分上實現。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的反射鏡組件,其還包括:
傳感器,其被配置為檢測所述電光系統的至少一個部件的溫度;以及
控制器,其被配置為控制所述至少一個加熱電阻器的激活。
11.根據權利要求10所述的反射鏡組件,其中,所述傳感器是校準電阻器。
12.根據權利要求2所述的反射鏡組件,其還包括處理器,所述處理器被編程為響應于用于致動所述MEMS反射鏡的電壓生成指示所述溫度的所述信息。
13.根據權利要求1-12中任一項所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器具有1/4和5千歐之間的總電阻。
14.根據權利要求1-13中任一項所述的反射鏡組件,其中,所述至少一個加熱電阻器發射范圍在5和500毫瓦之間的熱功率。
15.根據權利要求1-14中任一項所述的反射鏡組件,其還包括多個加熱電阻器,并且其中所述加熱電阻器中的至少一個發射范圍在5和500毫瓦之間的熱功率。
16.根據權利要求1-15中任一項所述的反射鏡組件,其還包括控制器,其中:
所述至少一個加熱電阻器包括第一加熱電阻器和第二加熱電阻器;并且
所述控制器被配置為基于接收到的與所述壓電元件的所述溫度相關的信息來控制第一電流到所述第一加熱電阻器的施加和第二電流到所述第二加熱電阻器的施加,所述第一電流不同于所述第二電流。
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