[發(fā)明專利]氧化物層疊體及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980063611.1
• 申請(qǐng)日: 2019-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN112888808A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上岡義弘;笘井重和;勝又聰;久志本真希;出來真斗;本田善央;天野浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東海國立大學(xué)機(jī)構(gòu);日機(jī)裝株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/28;H01L29/43
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 魯煒;楊戩

1.層疊體，其具有：

包含III-V族氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層、和

電極層；

所述電極層包含鎂氧化物和鋅氧化物；

所述電極層中所述鎂相對(duì)于鎂和鋅的總計(jì)的摩爾比[Mg/（Mg＋Zn）]為0.25以上且0.75以下，

所述電極層的電導(dǎo)率為1.0×10^-2S/cm以上。

2.權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，所述電極層中所述鎂相對(duì)于鎂和鋅的總計(jì)的摩爾比[Mg/（Mg＋Zn）]為0.4以上且0.75以下。

3.權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電極層中所述鎂相對(duì)于鎂和鋅的總計(jì)的摩爾比[Mg/（Mg＋Zn）]為0.5以上且0.75以下。

4.權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，

所述電極層進(jìn)一步包含除所述Mg和Zn之外的3價(jià)或4價(jià)的元素X，

所述元素X相對(duì)于全部金屬元素的摩爾比[元素X/全部金屬元素]為0.0001以上且0.20以下。

5.權(quán)利要求4所述的層疊體，其中，所述元素X是選自B、Al、Ga、In、Tl、C、Si、Ge、Sn和Pb中的至少1種元素。

6.權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，在所述電極層的X射線衍射測(cè)定中，在2θ＝34.8±0.5deg處觀測(cè)到衍射峰。

7.權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述電極層的波長260nm的光線透射率為4%以上。

8.權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述電極層由微晶形成，且相分離。

9.權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述電極層結(jié)晶生長為柱狀。

10.權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述電極層的以鎂氧化物為主的區(qū)域的粒徑為20nm以上且200nm以下。

11.權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述半導(dǎo)體層包含AlN、GaN、InN或它們的混晶。

12.權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的層疊體，其具有與所述電極層的一部分相接的配線層，

所述配線層包含選自金屬、氧化物、氮化物以及poly-Si中的至少一種，所述金屬包含選自Ni、Pd、Pt、Rh、Zn、In、Sn、Ag、Au、Mo、Ti、Cu和Al中的1種以上，所述氧化物選自ITO、SnO₂、ZnO、In₂O₃、Ga₂O₃、RhO₂、NiO、CoO、PdO、PtO、CuAlO₂和CuGaO₂，所述氮化物選自TiN、TaN和SiNx。

13.權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，所述電極層的厚度為10nm以上且1μm以下。

14.半導(dǎo)體裝置，其包含權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的層疊體。

15.層疊體的制造方法，其是制造權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的層疊體的方法，其中，在包含III-V族氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層上形成包含鎂氧化物和鋅氧化物的電極層。

16.權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，將所述電極層在750℃以上的溫度下進(jìn)行熱處理。