[發明專利]半導體器件檢查方法及半導體器件檢查裝置

在審

• 申請號: 201980063019.1
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN112752980A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 鈴木信介
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01R31/302
• 分類號: G01R31/302;G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種半導體器件檢查方法，其中，

具有檢查步驟，該檢查步驟在對半導體器件輸入試驗信號期間對所述半導體器件的被檢查區域內進行照射光的檢查照射，基于根據所述檢查照射而自所述半導體器件輸出的輸出信號，檢查所述半導體器件，

所述檢查步驟包括：

第1照射步驟，其對正被輸入所述試驗信號的所述半導體器件的所述被檢查區域內的至少1個部位進行所述檢查照射；

第1輸出步驟，其基于在所述第1照射步驟期間自所述半導體器件輸出的所述輸出信號，輸出表示所述被檢查區域的整體中有無缺陷部位的第1信息；

判斷步驟，其基于所述第1信息，判斷是否對所述被檢查區域進一步進行所述檢查照射；

第2照射步驟，其在在所述判斷步驟中判斷為要進一步進行所述檢查照射的情形時，針對正被輸入所述試驗信號的所述半導體器件，對與所述第1照射步驟中已進行所述檢查照射的部位不同的所述被檢查區域內的至少1個部位進行所述檢查照射；及

第2輸出步驟，其基于在所述第2照射步驟期間自所述半導體器件輸出的所述輸出信號，輸出表示所述被檢查區域的整體中有無缺陷部位的第2信息。

2.如權利要求1所述的半導體器件檢查方法，其中，

進一步包括圖像產生步驟，該圖像產生步驟基于在所述第1照射步驟期間自所述半導體器件輸出的所述輸出信號，產生表示所述被檢查區域的整體中有無缺陷部位的所述被檢查區域的二維圖像。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述第1照射步驟中，在所述被檢查區域內進行第1掃描，在所述第1掃描中進行所述檢查照射，

在所述第2照射步驟中，在所述被檢查區域內進行掃描范圍與所述第1掃描重疊的第2掃描，在所述第2掃描中進行所述檢查照射。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述第1照射步驟及所述第2照射步驟的一步驟中進行所述檢查照射的1個部位，位于以通過另一步驟中進行所述檢查照射的2個部位的線段作為對角線或直徑的區域內。

5.如權利要求4所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述一步驟中進行所述檢查照射的1個部位，位于所述另一步驟中進行所述檢查照射的2個部位之間。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述第1照射步驟及所述第2照射步驟的一步驟中進行所述檢查照射的至少2個部位，位于與另一步驟中進行所述檢查照射的1個部位相等距離的位置。

7.如權利要求1至6中任一項所述的半導體器件檢查方法，其中，

所述第1照射步驟中進行所述檢查照射的部位的數量，少于所述第2照射步驟中進行所述檢查照射的部位的數量。

8.如權利要求1至7中任一項所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述第1照射步驟及所述第2照射步驟的一步驟中進行所述檢查照射的部位，位于由通過另一步驟中進行所述檢查照射的至少1個部位的直線將所述半導體器件的所述被檢查區域四等分的多個區域的各個區域。

9.如權利要求1至8中任一項所述的半導體器件檢查方法，其中，

在所述第1照射步驟及所述第2照射步驟的至少一步驟中進行所述檢查照射的多個部位位于彼此等間隔的位置。